[发明专利]具有贯穿衬底通孔核心的三维互连多裸片电感器

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一裸片，其包含：

第一表面，

贯穿衬底通孔TSV，其至少延伸穿过所述第一裸片，所述TSV具有延伸超过所述第一表面的部分，其中所述TSV包括磁性材料，及

第一基本上螺旋形导体，其围绕所述TSV安置；及

第二裸片，其包含：

第二表面，

开口，其位于所述第二表面中，所述TSV的所述部分经安置在所述开口中，及

第二基本上螺旋形导体，其围绕所述开口安置，

其中所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体彼此电隔离且与所述TSV电隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体经配置以响应于所述第一基本上螺旋形导体中的第一变化电流而在所述TSV中诱发磁场的变化，且其中所述第二基本上螺旋形导体经配置以响应于TSV的所述部分中的所述磁场的所述变化而在其中诱发第二变化电流。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一裸片进一步包含：

第二TSV，其至少延伸穿过所述第一裸片，所述第二TSV具有延伸超过所述第一表面的部分，及

第三基本上螺旋形导体，其围绕所述第二TSV安置；且

其中所述第二裸片进一步包含：

第二开口，其位于所述第二表面中，所述第二TSV的所述部分经安置在所述第二开口中，及

第四基本上螺旋形导体，其围绕所述第二开口安置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述磁性材料为铁磁材料或亚铁磁材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体包括围绕所述TSV的与所述第二基本上螺旋形导体不同的数目的匹。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体包括围绕所述TSV的相同数目的匹。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体与所述TSV同轴对准。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体包括围绕所述TSV的一个以上匝，且所述第二基本上螺旋形导体包括围绕所述TSV的一个以上匝。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体中的一者电连接到电源供应器，且所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体中的另一者电连接到负载。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一表面是所述第一裸片的衬底材料的下表面。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一表面是所述第一裸片的上表面，所述上表面位于所述第一基本上螺旋形导体中的与所述第一裸片的衬底材料相对的侧上。