[发明专利]透明导电膜用溅射靶有效
| 申请号： | 201880027424.3 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110546299B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 矢野智泰;儿平寿博;立山伸一;中村信一郎 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/01;C23C14/08;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的透明导电膜用溅射靶由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In |
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| 搜索关键词： | 透明 导电 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜用溅射靶，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计为70.0质量％以上且小于85.0质量％，Sn的含有比率以SnO2换算计为0质量％以上且10.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计大于15.0质量％且为20.0质量％以下，/n在所述溅射靶的X射线衍射测定中，Si全部以具有钪钇石型结构的硅酸铟化合物的峰的形式表现。/n
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