[发明专利]透明导电膜用溅射靶

说明书

本发明的透明导电膜用溅射靶由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In₂O₃换算计为70.0质量％以上且小于85.0质量％，Sn的含有比率以SnO₂换算计为0质量％以上且10.0质量％以下，Si的含有比率以SiO₂换算计大于15.0质量％且为20.0质量％以下，在上述溅射靶的X射线衍射测定中，Si全部以具有钪钇石型结构的硅酸铟化合物的峰的形式表现。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，结瘤和电弧的产生少。另外，通过溅射，能够成膜成具有高的膜电阻率和高的蚀刻加工性的透明导电膜。

技术领域

本发明涉及透明导电膜用溅射靶，详细而言，涉及能够进行DC溅射、能够成膜成具有高蚀刻加工性的透明导电膜的透明导电膜用溅射靶。

背景技术

就用于内嵌(In-cell)型的静电电容型触摸面板中的透明导电膜而言，为了阻止因低频噪声而妨碍显示器工作，要求高电阻、高透射率。这是因为当导电膜为低电阻时，用于触摸感测的高频信号被阻断。

该导电性膜通常通过对溅射靶进行溅射而形成。

作为高透射率材料，主要使用ITO，但由于ITO的电阻低，因此无法用于内嵌型的静电电容型触摸面板的导电性膜。

作为获得高电阻材料的技术，有在ITO中添加绝缘氧化物的技术。但是，若在ITO中添加绝缘氧化物，则存在蚀刻加工性降低的缺点，在对导电膜实施蚀刻的用途等中，使用变得困难。

例如在专利文献1中，公开了以ITO为主原料、含有7.2～11.2原子％的硅、电阻率为10⁰～10³Ωcm的透明导电膜。专利文献2中公开了对由氧化铟、氧化锡和氧化硅构成的透明导电膜用溅射靶进行溅射而得到的电阻率为0.8～10×10^-3Ωcm的透明导电膜。然而，任一导电膜的蚀刻加工性都低。

此外，报道了大量的高电阻膜，但在该膜的成膜中使用的靶的电阻也变高。如果靶的电阻高，则无法通过DC电源进行溅射，必须通过RF电源制作高电阻的膜，因此生产率差。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5855948号公报

专利文献2：日本专利第4424889号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于提供一种溅射靶，其能够进行DC溅射，结瘤和电弧的产生少，并且能形成电阻率高、蚀刻加工性高的透明导电膜。

用于解决课题的手段

本发明的透明导电膜用溅射靶由氧化物烧结体形成，上述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In₂O₃换算计为70.0质量％以上且小于85.0质量％，Sn的含有比率以SnO₂换算计为0质量％以上且10.0质量％以下，Si的含有比率以SiO₂换算计大于15.0质量％且为20.0质量％以下，

在上述溅射靶的X射线衍射测定中，Si全部以具有钪钇石型结构的硅酸铟化合物的峰的形式表现。

上述透明导电膜用溅射靶优选电阻率为2.0×10²Ωcm以下。

上述透明导电膜用溅射靶优选相对密度为98.0％以上。