[发明专利]透明导电膜用溅射靶有效
| 申请号： | 201880027424.3 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110546299B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 矢野智泰;儿平寿博;立山伸一;中村信一郎 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/01;C23C14/08;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 溅射 | ||
1.一种透明导电膜用溅射靶，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计为76.0质量％以上且84.0质量％以下，Sn的含有比率以SnO2换算计为0质量％以上且5.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计为16.0质量％以上且20.0质量％以下，
所述透明导电膜用溅射靶的电阻率为2.0×102Ωcm以下，
所述透明导电膜用溅射靶的相对密度为98.0％以上，
在所述溅射靶的X射线衍射测定中，Si全部以具有钪钇石型结构的硅酸铟化合物的峰的形式表现。
2.一种透明导电膜，其中，构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计为81.3质量％以上且84.4质量％以下，Sn的含有比率以SnO2换算计为0质量％以上且3.5质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计为14.1质量％以上且18.0质量％以下，
所述透明导电膜的膜电阻率为1.0×100Ωcm以上，
所述透明导电膜的蚀刻速率为以上。
3.一种透明导电膜的制造方法，其通过溅射权利要求1所述的透明导电膜用溅射靶来进行成膜。
4.根据权利要求3所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述透明导电膜的膜电阻率为1.0×100Ωcm以上。
5.根据权利要求3或4所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述透明导电膜的蚀刻速率为以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井金属矿业株式会社，未经三井金属矿业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880027424.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：异形溅射靶及其制备方法
- 下一篇：透明导电膜用溅射靶
- 同类专利
- 专利分类
