[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201880012288.0 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN110301008B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 菅谷文孝 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开的存储装置包括：第一晶体管和第二晶体管，它们各自包括第一扩散层、第二扩散层和栅极，并且各自能够存储阈值状态；第一信号线；第二信号线；第一开关晶体管，其导通并将第一信号线和第一晶体管的第一扩散层耦合；第二开关晶体管，其导通并将第一晶体管的第二扩散层和第二晶体管的第一扩散层耦合；以及第三开关晶体管，其导通并将第二晶体管的第二扩散层和第二信号线耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管各自包括第一扩散层、第二扩散层和栅极，并且各自能够存储阈值状态；第一信号线和第二信号线；第一开关晶体管，所述第一开关晶体管导通并将所述第一信号线和所述第一晶体管的第一扩散层耦合；第二开关晶体管，所述第二开关晶体管导通并将所述第一晶体管的第二扩散层和所述第二晶体管的第一扩散层耦合；以及第三开关晶体管，所述第三开关晶体管导通并将所述第二晶体管的第二扩散层和所述第二信号线耦合。
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