[发明专利]存储装置

说明书

根据本公开的存储装置包括：第一晶体管和第二晶体管，它们各自包括第一扩散层、第二扩散层和栅极，并且各自能够存储阈值状态；第一信号线；第二信号线；第一开关晶体管，其导通并将第一信号线和第一晶体管的第一扩散层耦合；第二开关晶体管，其导通并将第一晶体管的第二扩散层和第二晶体管的第一扩散层耦合；以及第三开关晶体管，其导通并将第二晶体管的第二扩散层和第二信号线耦合。

技术领域

本公开涉及存储信息的存储装置。

背景技术

对于非易失性半导体存储器，经常使用铁电栅极晶体管，其利用铁电物质的自发极化特性使得存储器能够存储信息。例如，PTL1公开了包括存储器元件(memory cell)的存储装置，所述存储器元件包括两个MOS(金属氧化物半导体)晶体管和铁电栅极晶体管。

引文列表

专利文献

PTL1：第H02-64993号日本未审专利申请公开

发明内容

在希望存储装置中的存储器元件尺寸较小的同时，期望进一步减小单元尺寸。

希望提供一种能够减小单元尺寸的存储装置。

根据本公开的实施方案的存储装置包括第一晶体管和第二晶体管、第一信号线和第二信号线、第一开关晶体管、第二开关晶体管和第三开关晶体管。第一晶体管和第二晶体管各自包括第一扩散层、第二扩散层和栅极，并且各自能够存储阈值状态。第一开关晶体管导通，并将第一信号线和第一晶体管的第一扩散层耦合。第二开关晶体管导通，并将第一晶体管的第二扩散层和第二晶体管的第一扩散层耦合。第三开关晶体管导通，并将第二晶体管的第二扩散层和第二信号线耦合。

根据本公开的实施方案的存储装置包括第一和第二晶体管以及第一至第三开关晶体管。导通第一开关晶体管将第一信号线和第一晶体管的第一扩散层耦合。导通第二开关晶体管将第一晶体管的第二扩散层和第二晶体管的第一扩散层耦合。导通第三开关晶体管将第二晶体管的第二扩散层和第二信号线耦合。

根据本公开的实施方案的存储装置包括第一和第二晶体管以及第一至第三晶体管，从而使得有可能减小单元尺寸。要注意的是，这里描述的效果不一定是限制性的，并且可以是本公开中描述的任何效果。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施方案的存储装置的配置实例的框图。

图2是示出图1中所示的存储器元件阵列的配置实例的电路图。

图3是示出图1中所示的存储器元件阵列的配置实例的另一电路图。

图4是示出图1中所示的存储器元件阵列的配置实例的布局图。

图5是示出图1中所示的存储装置的操作实例的表格。

图6描述图1中所示的存储装置的编程操作实例。

图7描述图1中所示的存储装置的擦除操作实例。

图8描述图1中所示的存储装置的读取操作实例。

图9是示出图1中所示的存储装置的另一操作实例的表格。

图10描述图1中所示的存储装置的另一编程操作实例。

图11描述图1中所示的存储装置的另一擦除操作实例。

图12描述图1中所示的存储装置的另一读取操作实例。

具体实施方式

在下文中参考附图详细描述本公开的一些实施方案。

实施方案

[配置实例]