[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，其包括：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管各自包括第一扩散层、第二扩散层和栅极，并且各自能够存储阈值状态；

第一信号线和第二信号线；

第一开关晶体管，所述第一开关晶体管导通并将所述第一信号线和所述第一晶体管的第一扩散层耦合；

第二开关晶体管，所述第二开关晶体管导通并将所述第一晶体管的第二扩散层和所述第二晶体管的第一扩散层耦合；以及

第三开关晶体管，所述第三开关晶体管导通并将所述第二晶体管的第二扩散层和所述第二信号线耦合。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管各自进一步包括栅极绝缘薄膜，所述栅极绝缘薄膜包括铁电材料。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其进一步包括驱动器，所述驱动器在第一时段中通过导通所述第一开关晶体管、断开所述第二开关晶体管、将第一电压施加于所述第一晶体管的栅极以及将第二电压施加于所述第一信号线来设定所述第一晶体管的阈值状态。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中所述驱动器

通过使所述第一电压高于所述第二电压而将所述阈值状态设定为第一阈值状态，并且

通过使所述第二电压高于所述第一电压而将所述阈值状态设定为第二阈值状态。

5.根据权利要求3所述的存储装置，其中所述第一电压与所述第二电压之间的电压差的绝对值大于预定值。

6.根据权利要求3所述的存储装置，其中在第二时段中，所述驱动器通过导通所述第三开关晶体管、断开所述第二开关晶体管、将所述第一电压施加于所述第二晶体管的栅极以及将所述第二电压施加于所述第二信号线来设定所述第二晶体管的阈值状态。

7.根据权利要求3所述的存储装置，其中在第三时段中，所述驱动器通过导通所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管、所述第三开关晶体管和所述第二晶体管并将第三电压施加于所述第一晶体管的栅极来检测所述第一晶体管的阈值状态。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其中在所述第三时段中，所述驱动器将第四电压施加于所述第一信号线，将第五电压施加于所述第二信号线，并基于在所述第一信号线中流动的电流的电流值检测所述第一晶体管的阈值状态。

9.根据权利要求7所述的存储装置，其中在第四时段中，所述驱动器通过导通所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管、所述第三开关晶体管和所述第一晶体管并将所述第三电压施加于所述第二晶体管的栅极来检测所述第二晶体管的阈值状态。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其进一步包括：

第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和第四晶体管各自包括第一扩散层、第二扩散层和栅极，并且各自能够存储阈值状态；

第三信号线；

第四开关晶体管，所述第四开关晶体管包括栅极，并且导通并将所述第三信号线和所述第三晶体管的第一扩散层耦合；

第五开关晶体管，所述第五开关晶体管包括栅极，并且导通并将所述第三晶体管的第二扩散层和所述第四晶体管的第一扩散层耦合；以及

第六开关晶体管，所述第六开关晶体管包括栅极，并且导通并将所述第四晶体管的第二扩散层和所述第一信号线耦合，其中

所述第一晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极耦合，

所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极耦合，

所述第一开关晶体管包括与所述第四开关晶体管的栅极耦合的栅极，

所述第二开关晶体管包括与所述第五开关晶体管的栅极耦合的栅极，并且

所述第三开关晶体管包括与所述第六开关晶体管的栅极耦合的栅极。