[发明专利]预写入阵列的存储器单元有效
| 申请号： | 201880010412.X | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110301007B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及预写入阵列的存储器单元。本发明描述用于操作存储器单元或若干存储器单元的方法、系统及装置。存储器阵列的单元可经预写入，这可包含在使感测组件与所述阵列的数字线隔离时将所述单元写入到一个状态。可在隔离所述感测组件时在所述感测组件处执行读取或写入操作，且可在写入操作完成时解除隔离所述单元(例如，将其连接到所述数字线)。所述技术可包含以下技术：存取存储器阵列的存储器单元；至少部分基于所述单元的所述存取使感测放大器与所述存储器阵列的数字线隔离；触发所述感测放大器；及在隔离所述感测放大器时将所述存储器阵列的所述存储器单元预写入到第二数据状态。在一些实例中，所述存储器单元可包含铁电存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 阵列 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：使用经由数字线耦合到存储器阵列的存储器单元的感测组件感测存储于所述存储器单元中的第一逻辑状态；至少部分基于感测所述第一逻辑状态而使所述感测组件与所述存储器阵列的所述数字线隔离；及在隔离所述感测组件时将所述存储器阵列的多个存储器单元中的一者预写入到第二逻辑状态，其中所述多个存储器单元包含所述存储器单元。
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