[发明专利]预写入阵列的存储器单元有效

专利信息
申请号: 201880010412.X 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN110301007B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 写入 阵列 存储器 单元
【权利要求书】:

1.一种方法,其包括:

将存储器阵列的存储器单元与数字线耦合;

至少部分基于将所述存储器单元与所述数字线耦合,使用经由所述数字线耦合到所述存储器阵列的所述存储器单元的感测组件感测存储于所述存储器单元中的第一逻辑状态;

至少部分基于感测所述第一逻辑状态而使所述感测组件与与所述存储器阵列的所述存储器单元耦合的所述数字线隔离;

在隔离所述感测组件时将所述存储器阵列的多个存储器单元中的一者预写入到第二逻辑状态,其中所述多个存储器单元包含所述存储器单元;

至少部分基于预写入所述多个存储器单元而使所述感测组件解除隔离;及

至少部分基于使所述感测组件解除隔离而将所述存储器阵列的所述存储器单元写入到所述第一逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的方法,其中预写入所述多个存储器单元中的一者包括:

在隔离所述感测组件时将所述存储器阵列的多个数字线的电压降低到接地,其中所述多个数字线包含所述数字线;及

至少部分基于将所述存储器阵列的所述多个数字线的所述电压降低到接地而将所述存储器阵列的所述多个存储器单元写入到所述第二逻辑状态。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二逻辑状态的值是至少部分基于耦合到所述存储器单元的板极线的电压。

4.根据权利要求2所述的方法,其中将所述存储器阵列的所述多个数字线的所述电压降低到接地包括:

激活耦合到所述多个数字线中的一者的均衡装置。

5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

在隔离所述感测组件时在所述感测组件处执行一或多个读取或写入操作。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一逻辑状态等于所述第二逻辑状态。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一逻辑状态不同于所述第二逻辑状态。

8.一种方法,其包括:

增大与存储器单元耦合的板极线的电压;

激活耦合到所述存储器单元的存取线以将所述存储器单元耦合到数字线,其中耦合在所述存储器单元与感测组件之间的所述数字线的电压至少部分基于激活所述存取线、增大所述板极线的所述电压及存储于所述存储器单元中的第一逻辑状态而增大;

至少部分基于增大所述数字线的所述电压而使所述感测组件与与所述存储器单元耦合的所述数字线隔离;

当所述感测组件与所述数字线隔离时,转变单元选择信号;及

至少部分基于隔离所述感测组件而将所述存储器单元写入到第二逻辑状态。

9.根据权利要求8所述的方法,其中激活所述存取线是在所述板极线的所述电压满足阈值之后完成。

10.根据权利要求8所述的方法,其中将所述存储器单元写入到所述第二逻辑状态包括:

在隔离所述感测组件时使用均衡装置写入所述存储器单元。

11.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:

在使所述感测组件与所述存储器单元隔离时在所述感测组件处读取或写入一或多次。

12.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:

至少部分基于使所述感测组件与所述数字线隔离而将所述数字线的所述电压降低到接地。

13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:

至少部分基于将所述数字线的所述电压降低到接地而降低所述板极线的所述电压。

14.根据权利要求13所述的方法,其中至少部分基于所述存储器单元的底部节点处的电压降低到接地而降低所述板极线的所述电压,且其中所述板极线经耦合到所述存储器单元的第一端子且所述底部节点包括所述存储器单元的第二端子。

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