[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880009680.X | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110249431B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 宫田征典;高桥茂树;住友正清;志贺智英 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置，具有元件部(1)和将元件部(1)包围的外周部(2)，在外周部(2)形成有深度比基极层(12)深的深层(23)，设深层(23)中的最靠元件部(1)侧的位置为边界位置(K)，设边界位置(K)与能够注入第1载流子的发射极区域(16)中的最靠外周部(2)侧的位置之间的距离为第1距离(L1)，设边界位置(K)与集电极层(21)中的半导体基板(10)的面方向上的端部的位置之间的距离为第2距离(L2)，将第1距离(L1)及第2距离(L2)进行调整，以使得基于因深层(23)而降低了的外周部(2)的耐压而该外周部(2)的载流子密度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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