[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有元件部(1)和将上述元件部包围的外周部(2)，其特征在于，

具备：

半导体基板(10)，具有一面(10a)以及上述一面的相反侧的另一面(10b)，构成第1导电型的漂移层(11)；

第2导电型的基极层(12)，形成在上述元件部中的上述漂移层上并且上述半导体基板的一面侧；

栅极绝缘膜(14)，分别形成在多个沟槽(13)的壁面，该多个沟槽将上述基极层贯通并到达上述漂移层且沿着上述半导体基板的面方向延伸设置；

栅极电极(15)，分别形成在上述栅极绝缘膜上；

第1导电型的发射极区域(16)，形成在上述基极层的表层部，与上述沟槽相接；

第2导电型的深层(23)，形成在上述外周部中的上述漂移层的表层部并且上述半导体基板的一面侧，深度比上述基极层深；

第2导电型的集电极层(21)，至少形成在上述元件部中的上述半导体基板的另一面侧；

第1电极(19)，与上述发射极区域及上述基极层电连接；以及

第2电极(22)，与上述集电极层电连接；

通过向上述栅极电极施加规定的栅极电压，从上述第1电极经由上述发射极区域向上述漂移层注入第1载流子并且从上述第2电极经由上述集电极层向上述漂移层注入第2载流子，从而在上述第1电极与上述第2电极之间流过电流；

在上述半导体基板的一面，将上述深层中的最靠上述元件部侧的位置设为边界位置(K)，将上述边界位置与能够从上述第1电极注入上述第1载流子的上述发射极区域中的最靠上述外周部侧的位置之间的距离设为第1距离(L1)，将上述边界位置与上述集电极层中的上述半导体基板的面方向上的端部的位置之间的距离设为第2距离(L2)；

上述第1距离及上述第2距离被进行了调整，以使得基于因上述深层而降低了的上述外周部的耐压而该外周部的载流子密度降低，并且上述第1距离及上述第2距离被基于相邻的上述沟槽的间隔(L4)进行了调整；

设上述半导体基板的厚度为第3距离，关于上述第2距离，将上述集电极层的端部位于上述元件部内的情况设为正的距离、并且将上述集电极层的端部位于上述外周部内的情况设为负的距离，设上述第1距离为L1，设上述第2距离为L2，设上述第3距离为L3，设相邻的上述沟槽的间隔为L4，

上述第1距离、上述第2距离、上述第3距离以及相邻的上述沟槽的间隔满足L1≥L3×(－0.30×L4+1.53)－L2。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1距离、上述第2距离、上述第3距离以及相邻的上述沟槽的间隔是L1＝L3×(－0.30×L4+1.53)－L2。