[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置，具有元件部(1)和将元件部(1)包围的外周部(2)，在外周部(2)形成有深度比基极层(12)深的深层(23)，设深层(23)中的最靠元件部(1)侧的位置为边界位置(K)，设边界位置(K)与能够注入第1载流子的发射极区域(16)中的最靠外周部(2)侧的位置之间的距离为第1距离(L1)，设边界位置(K)与集电极层(21)中的半导体基板(10)的面方向上的端部的位置之间的距离为第2距离(L2)，将第1距离(L1)及第2距离(L2)进行调整，以使得基于因深层(23)而降低了的外周部(2)的耐压而该外周部(2)的载流子密度降低。

关连申请的相互参照

本申请基于2017年2月3日申请的日本专利申请第2017－18672号，这里通过参照而引入其记载内容。

技术领域

本发明涉及具有形成了绝缘栅双极型晶体管(以下简称IGBT)元件的元件部和将元件部包围的外周部的半导体装置。

背景技术

以往，提出了具有形成了IGBT元件的元件部和将该元件部包围的外周部的半导体装置(例如参照专利文献1)。具体而言，该半导体装置具备具有一面以及与一面相反侧的另一面并且构成漂移层的半导体基板。并且，在元件部，在漂移层上形成有P型的基极层，在基极层的表层部形成有N⁺型的发射极区域。此外，以隔着栅极绝缘膜而与基极层相接的方式，形成有栅极电极。并且，在漂移层中的与基极层相反的一侧，形成有集电极层。另外，该集电极层从元件部形成到外周部。此外，在半导体基板的一面侧，以与基极层及发射极区域电连接的方式形成有上部电极，在半导体基板的另一面侧，以与集电极层电连接的方式形成有下部电极。

在外周部，在半导体基板的一面侧，多个P⁺型的深层以构成多重环构造的方式形成。另外，多个深层形成得比基极层深，以抑制元件部的电场集中。

在这样的半导体装置中，当向栅极电极施加规定的栅极电压，则在基极层中的与栅极电极相邻的部分形成反型层(即沟道区域)。由此，电子被从发射极区域经由反型层向漂移层供给，并且空穴被从集电极层向漂移层供给，由于电导率调制，漂移层的电阻值降低而电流流动。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2001―217420号公报

发明概要

但是，在上述半导体装置中，由于在外周部形成有比基极层深的深层，因此，在外周部，漂移层的实质厚度比元件部薄而耐压降低。此外，上述半导体装置中，在外周部也形成有集电极层，空穴也从形成在外周部的集电极层向漂移层供给。因此，上述半导体装置中，在从流动电流的状态将该电流切断时，在外周部容易发生击穿。并且，上述半导体装置，由于与元件部相比在外周部不易使电流流出，所以如果在外周部发生击穿则损坏的可能性变高。

发明内容

本发明的目的在于，关于在外周部具有形成得比基极层深的深层的半导体装置，提供能够抑制在外周部发生击穿的半导体装置。