[发明专利]发光元件及其制造方法在审
申请号: | 201880009144.X | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN110249435A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 石崎顺也 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L21/205 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;刘言 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种发光元件,该发光元件包含窗层兼支撑基板、以及设置于该窗层兼支撑基板上且发光波长相异的多个发光部,其中,该多个发光部均具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造,且具有除去该第一半导体层或该第二半导体层、及该活性层的除去部、以及该除去部以外的非除去部,还具有设置于该非除去部的第一欧姆电极、以及设置于该除去部的第二欧姆电极。由此,提供一种将发光波长相异的多个发光部形成于一个发光元件,且适合窄间距的发光元件阵列的发光元件。 | ||
搜索关键词: | 发光元件 除去部 半导体层 发光部 发光波长 欧姆电极 支撑基板 导电型 活性层 窗层 相异 发光元件阵列 制造 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,包含窗层兼支撑基板、以及设置于所述窗层兼支撑基板上且发光波长相异的多个发光部,其特征在于,所述多个发光部均具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造,且具有除去所述第一半导体层或所述第二半导体层、及所述活性层的除去部、以及所述除去部以外的非除去部,还具有设置于所述非除去部的第一欧姆电极、以及设置于所述除去部的第二欧姆电极。
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