[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，包含窗层兼支撑基板、以及设置于所述窗层兼支撑基板上且发光波长相异的多个发光部，其特征在于，

所述多个发光部均具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造，且具有除去所述第一半导体层或所述第二半导体层、及所述活性层的除去部、以及所述除去部以外的非除去部，还具有设置于所述非除去部的第一欧姆电极、以及设置于所述除去部的第二欧姆电极。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述多个发光部中的一个发光部由直接形成于所述窗层兼支撑基板上的外延层所构成，其它的发光部则接合于所述外延层之上。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，在直接形成于所述窗层兼支撑基板上的外延层与接合于所述外延层之上的发光部之间具有苯并环丁烯膜或SiO₂膜。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述多个发光部包括由蓝绿色系的InGaN类材料所构成的发光部、及由红黄色系的AlGaInP类材料所构成的发光部。

5.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

准备第一外延基板及第二外延基板，其中所述第一外延基板在第一基板上成长有发出第一波长的光的外延层，所述第二外延基板在第二基板上成长有发出第二波长的光的外延层；

贴合所述第一外延基板的外延层与所述第二外延基板的外延层；以及

从经过贴合的外延基板除去所述第一基板或所述第二基板。

6.根据权利要求5所述的发光元件的制造方法，其特征在于，将InGaN类材料用作所述发出第一波长的光的外延层，将AlGaInP类材料用作所述发出第二波长的光的外延层。

7.根据权利要求5或6所述的发光元件的制造方法，其特征在于，形成具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造的外延层，作为所述发出第一波长的光的外延层以及所述发出第二波长的光的外延层。

8.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：在除去所述第一基板或所述第二基板的步骤之后，在所述发出第一波长的光的外延层及所述发出第二波长的光的外延层中，各自形成有除去所述第一半导体层或所述第二半导体层、及所述活性层的除去部、以及所述除去部以外的非除去部，且于所述非除去部设置第一欧姆电极、并于所述除去部设置第二欧姆电极。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在贴合所述第一外延基板的外延层与所述第二外延基板的外延层的步骤之前，在所述第一外延基板的外延层与所述第二外延基板的外延层的至少一者之上形成苯并环丁烯膜，之后，通过该苯并环丁烯膜贴合所述第一外延基板的外延层与所述第二外延基板的外延层。

10.根据权利要求5至8中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在贴合所述第一外延基板的外延层与所述第二外延基板的外延层的步骤之前，在所述第一外延基板的外延层与所述第二外延基板的外延层的至少一者之上形成SiO₂膜，之后，通过所述SiO₂膜贴合所述第一外延基板的外延层与所述第二外延基板的外延层。