[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明提供一种发光元件，该发光元件包含窗层兼支撑基板、以及设置于该窗层兼支撑基板上且发光波长相异的多个发光部，其中，该多个发光部均具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造，且具有除去该第一半导体层或该第二半导体层、及该活性层的除去部、以及该除去部以外的非除去部，还具有设置于该非除去部的第一欧姆电极、以及设置于该除去部的第二欧姆电极。由此，提供一种将发光波长相异的多个发光部形成于一个发光元件，且适合窄间距的发光元件阵列的发光元件。

技术领域

本发明涉及一种发光元件及其制造方法。

背景技术

在AR(增强现实)、HMD(头戴式显示器)中，需要长边为1～2cm□左右的超小型显示器，并且也需要光亮度高的显示器。

制作长边为1～2cm□左右的全高清规格的显示器时，由于需要1920×1080pixel的像素，因此1pixel的尺寸需要以5.2μm～10.4μm□左右的间距实现。

在这样的超小型发光体中，1个元件的每单位面积需要高亮度，且比起专利文献1那样的LCD或专利文献2那样的有机电致发光显示器，自发光型的发光元件也更为理想。

另外，由于需要高的工艺精度，因此选择能适用于半导体工艺的材料较为合适。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开2013-210588号公报

专利文献2：日本专利公开2013-037021号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题

对于如上所述的像素尺寸的黑白显示器，正如CEA-LETI(法国)所公开的，只要使用能适用半导体工艺的晶圆即可实现。

然而，CEA-LETI所公开的技术为单色，并未提出多色化的技术。这是由于在实现发出蓝～绿色光的InGaN类外延晶圆以及实现发出黄～红色光的AlGaInP类材料中，形成晶圆的最佳温度带(InGaN类为800～1000℃，AlGaInP类为500～700℃)及基板(InGaN类为蓝宝石基板，AlGaInP类为GaAs基板)不同，要想在一片晶圆上同时以外延成长等方法而形成极为困难之故。

尽管在技术上可通过切割非常小的发光元件并移载至驱动基板而制成显示器，但若是想在1920×1080像素的显示器中实现如双色发光的情况下，即便以0.2秒/个的产距进行移载也需要240天的制造时间，此作法并不现实。

为了高密度地实现窄间距(小尺寸)的发光元件阵列，理想上的做法是在一片晶圆上实现具有不同发光波长之功能的晶圆，再通过半导体工艺制作窄间距的元件阵列，从而制成显示器。

鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种将发光波长相异的多个发光部形成于同一个发光元件，且适合窄间距的发光元件阵列的发光元件及该发光元件的制造方法。

(二)技术方案

为了实现上述课题，本发明提供一种发光元件，包含窗层兼支撑基板、以及设置于该窗层兼支撑基板上且发光波长相异的多个发光部，其中，该多个发光部均具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造，且具有除去该第一半导体层或该第二半导体层、及该活性层的除去部、以及该除去部以外的非除去部，还具有设置于该非除去部的第一欧姆电极、以及设置于该除去部的第二欧姆电极。

若是这样的发光元件，即为发光波长相异的多个发光部形成于同一个发光元件，且适合窄间距的发光元件阵列的发光元件。

另外，优选地，该多个发光元件中的一个发光部由直接形成于该窗层兼支撑基板上的外延层所构成，其它的发光部则接合于该外延层之上。