[发明专利]自旋元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201880006593.9 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110462814B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 积田淳史;佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/20;H10N52/00;H01L29/82 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种自旋元件(100)，其具备：元件部，其包含第一铁磁性层(1)；通电部(5)，从第一铁磁性层(1)的层叠方向(Z方向)观察，其沿第一方向(X方向)延伸且面向第一铁磁性层(1)；电流路径(10)(10A、10B)，其从上述通电部(5)至半导体电路(30)(30A、30B)，在中途具有电阻调整部(11)(11A、11B)，电阻调整部(11)的电阻值比上述通电部(5)的电阻值大，构成电阻调整部(11)的材料的体积电阻率的温度系数比上述通电部(5)的材料的体积电阻率的温度系数小。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋元件，其具备：/n元件部，其包含第一铁磁性层；/n通电部，从所述第一铁磁性层的层叠方向观察，其沿第一方向延伸且面向所述第一铁磁性层；/n电流路径，其从所述通电部至半导体电路，在中途具有电阻调整部，/n所述电阻调整部的电阻值比所述通电部的电阻值大，/n构成所述电阻调整部的材料的体积电阻率的温度系数比构成所述通电部的材料的体积电阻率的温度系数小。/n
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