[发明专利]自旋元件及磁存储器

权利要求书

1.一种自旋元件，其具备：

元件部，其包含第一铁磁性层；

通电部，从所述第一铁磁性层的层叠方向观察，其沿第一方向延伸且面向所述第一铁磁性层；

电流路径，其从所述通电部至半导体电路，在中途具有电阻调整部，

所述电阻调整部的电阻值比所述通电部的电阻值大，

构成所述电阻调整部的材料的体积电阻率的温度系数比构成所述通电部的材料的体积电阻率的温度系数小，

所述电阻调整部由选自由Ni－Cr、铂铑合金、铬镍合金、因科罗伊镍铬铁合金及不锈钢构成的组中的材料构成。

2.根据权利要求1所述的自旋元件，其中，

所述电阻调整部由分离配置的多个电阻调整部分构成，

所述多个电阻调整部分具有第一电阻调整部和第二电阻调整部，

所述第一电阻调整部配置于所述通电部的所述第一方向的第一端部和第一半导体电路之间的电流路径，

所述第二电阻调整部配置于所述通电部的所述第一方向的第二端部和第二半导体电路之间的电流路径。

3.根据权利要求1或2所述的自旋元件，其中，

所述电阻调整部由分离配置的多个电阻调整部分构成，

从所述层叠方向俯视，所述电阻调整部容纳于所述通电部的外形的范围内，

所述多个电阻调整部分中的至少一个沿所述第一方向延伸。

4.根据权利要求1或2所述的自旋元件，其中，

所述电阻调整部由分离配置的多个电阻调整部分构成，

从所述层叠方向俯视，所述多个电阻调整部分中的至少一个配置于所述通电部的外形的范围外，

配置于所述外形的范围外的电阻调整部分沿与所述层叠方向正交的面内方向扩展。

5.根据权利要求2所述的自旋元件，其中，

所述多个电阻调整部分均沿所述第一方向延伸，

所述多个电阻调整部分中的至少一部分配置于与所述通电部不同的深度位置。

6.根据权利要求1或2所述的自旋元件，其中，

所述通电部为对所述第一铁磁性层的磁化赋予自旋轨道转矩，使所述第一铁磁性层的磁化旋转的自旋轨道转矩配线，

所述元件部由第一铁磁性层构成。

7.根据权利要求1或2所述的自旋元件，其中，

所述通电部为对所述第一铁磁性层的磁化赋予自旋轨道转矩，使所述第一铁磁性层的磁化旋转的自旋轨道转矩配线，

所述元件部从靠近所述通电部的位置开始依次具有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层。

8.根据权利要求1或2所述的自旋元件，其中，

所述通电部为具备磁畴壁的磁记录层，

所述元件部从靠近所述磁记录层的位置开始依次具有非磁性层、第一铁磁性层。

9.一种磁存储器，其具备多个权利要求1～8中任一项所述的自旋元件。