[发明专利]存储器装置的阶梯结构在审
| 申请号： | 201880005628.7 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110121777A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吕震宇;陈俊;戴晓望;朱继锋;陶谦;黄郁茹;胡思平;姚兰;肖莉红;郑阿曼;鲍琨;杨号号 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 赵磊;刘柳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开一种半导体结构。半导体结构包括设置于基底(101)之上的阶梯结构(800)。阶梯结构(800)包括复数层堆叠层，其中各堆叠层包括设置于第二材料层(840)的一部分之上的第一材料层(502)。阶梯结构(800)还包括多个连接垫(820)，其中各连接垫(820)设置于相应的堆叠层的第二材料层(840)的另一部分之上。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯结构 堆叠层 半导体结构 第二材料层 连接垫 存储器装置 第一材料 复数层 基底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：基底；以及阶梯结构，设置于该基底之上，其中该阶梯结构包括：多个堆叠层，每个堆叠层包括第一材料层，设置于第二材料层的第一部分之上；以及多个连接垫，分别设置于该多个堆叠层上，每个连接垫设置于相应的堆叠层的所述第二材料层的第二部分之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
