[发明专利]存储器装置的阶梯结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

基底；以及

阶梯结构，设置于该基底之上，其中该阶梯结构包括：

多个堆叠层，每个堆叠层包括第一材料层，设置于第二材料层的第一部分之上；以及

多个连接垫，分别设置于该多个堆叠层上，每个连接垫设置于相应的堆叠层的所述第二材料层的第二部分之上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个连接垫中的每个连接垫邻近所述第一材料层的相应一侧。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个连接垫中的每个连接垫延伸于所述第二材料层的相应顶表面之上。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一材料层包括绝缘材料，该第二材料层包括第一导电材料，且所述多个连接垫中的每个连接垫包括第二导电材料。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中该第一导电材料与所述第二导电材料相同或不同。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中：

所述绝缘材料层包括氧化硅、氧化铝或上述的组合；以及

所述第一导电材料层与所述第二导电材料层中的每一个包括钨、硅化物、镍、钛、铂、铝、氮化钛、氮化钽、氮化钨或上述的组合。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中每个堆叠层的所述第二材料层设置于相邻的堆叠层的所述第一材料层的一部分之上。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述多个连接垫中的一个连接垫比对应的堆叠层的所述第一材料层厚，且与设置在相邻堆叠层上的另一连接垫绝缘。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

于基底之上形成多个堆叠层，其中每个堆叠层包括第一材料层，所述第一材料层设置于第二材料层之上；

于所述多个堆叠层之上形成硬掩模层；

于所述多个堆叠层上形成阶梯结构，以暴露出每个堆叠层的所述第一材料层的一部分；

于所述每个堆叠层的所述第二材料层的一部分上形成连接垫；以及

移除所述硬掩模层的所述部分。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

移除所述连接垫和每个堆叠层的所述第二材料层，以于每个堆叠层中形成凹陷；

于每个堆叠层的所述凹陷中设置导电材料；以及

于所述阶梯结构之上形成介电层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述连接垫包括：

从每个堆叠层的一侧移除所述第二材料层的一部分，以形成凹陷；

于每个阶梯结构之上设置材料层，以填满每个堆叠层中的所述凹陷；以及

移除该材料层的一部分，以于每个堆叠层的该侧与所述硬掩模层的所述部分的所述一侧形成间隙壁。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述连接垫还包括：

使用所述间隙壁和所述硬掩模层的所述部分作为掩模，移除每个堆叠层的所述第一材料层的一部分；

于所述阶梯结构之上设置介电层；以及

移除所述间隙壁与所述介电层的一部分。

13.根据权利要求12所述的方法，其中于所述阶梯结构之上设置所述介电层包括于该第二材料层的一部分、所述第一材料层的一侧的一部分以及所述间隙壁的一侧的一部分之上设置所述介电层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中移除所述硬掩模层的所述部分以及所述多个堆叠层中的顶部堆叠层的所述部分包括通过干蚀刻、湿蚀刻或上述的组合移除该硬掩模层的所述部分以及所述顶部堆叠层的所述部分。