[发明专利]存储器装置的阶梯结构

说明书

公开一种半导体结构。半导体结构包括设置于基底(101)之上的阶梯结构(800)。阶梯结构(800)包括复数层堆叠层，其中各堆叠层包括设置于第二材料层(840)的一部分之上的第一材料层(502)。阶梯结构(800)还包括多个连接垫(820)，其中各连接垫(820)设置于相应的堆叠层的第二材料层(840)的另一部分之上。

技术领域

本申请案主张于2017年8月28号提交的中国专利申请号第201710750398.4号的优先权，其全部揭示内容皆以引用的方式并入本文中。

背景技术

通过改善工艺技术、电路设计、算法程序设计与制作方法，平面存储器单元被缩小至较小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺与制作技术变得艰难且耗费成本，因此平面存储器单元的存储器密度接近上限。

3D存储器架构可处理平面存储器单元的密度受限的问题。3D存储器架构包括存储器阵列与用于控制进出存储器阵列信号的周边组件。3D存储器架构还包括水平配置于基底之上的字线的堆叠，并具有贯穿各字线的垂直的半导体沟道。字线与垂直半导体沟道的交叉形成存储器单元。

发明内容

在此公开用于存储器装置(例如3D存储器装置)的阶梯结构的实施例。所公开的实施例提供了包括，但不限于，良率与制作成本的改善的多个优点。

在一些实施例中，半导体结构包括设置于基底之上的阶梯结构。阶梯结构包括多个堆叠层，其中每个堆叠层包括设置于第二材料层的第一部分之上的第一材料层。阶梯结构还包括分别设置于堆叠层上的多个连接垫，其中每个连接垫设置于相应的堆叠层的第二材料层的第二部分之上。每个连接垫邻近第一材料层相应的一侧并延伸于第二材料层相应顶表面之上。第一材料层由包括氧化硅、氧化铝或上述组合的一绝缘材料所制成，第二材料层由第一导电材料制成。多个连接垫由一第二导电材料所制成。第一导电材料与第二导电材料的每一个包括钨、硅化物、镍、钛、铂、铝、氮化钛、氮化钽、氮化钨或上述的组合。每个堆叠层的第二材料层设置于相邻的堆叠层的第一材料层的一部分之上。多个连接垫中之一个连接垫比相应的堆叠层的第一材料层厚，且与位于相邻的堆叠层上的另一连接垫绝缘。