[发明专利]用于制造绝缘膜和半导体封装的方法有效

专利信息
申请号: 201880003227.8 申请日: 2018-07-02
公开(公告)号: CN109643698B 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 郑遇载;庆有真;崔炳柱;崔宝允;李光珠;郑珉寿 申请(专利权)人: 株式会社LG化学
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L23/31;H01B3/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵丹;郑毅
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于制造绝缘层的方法,其可以使固化时聚合物收缩引起的翘曲程度最小化并确保位于其中的半导体芯片的稳定性;以及用于使用由绝缘层的制造方法获得的绝缘层制造半导体封装的方法。
搜索关键词: 用于 制造 绝缘 半导体 封装 方法
【主权项】:
1.一种用于制造绝缘层的方法,包括:将至少两个或更多个半导体元件密封在光敏树脂层与聚合物树脂层之间,其中所述聚合物树脂层形成在基底上并且包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂;使所述光敏树脂层暴露于光并进行碱显影以形成光敏树脂块,以及同时使暴露的聚合物树脂层进行碱显影以形成聚合物树脂块;以及使所述聚合物树脂块固化,其中在所述碱显影步骤中,至少一个半导体元件被密封在彼此接触的所述光敏树脂块与所述聚合物树脂块之间。
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