[发明专利]用于制造绝缘膜和半导体封装的方法有效
申请号: | 201880003227.8 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN109643698B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 郑遇载;庆有真;崔炳柱;崔宝允;李光珠;郑珉寿 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L23/31;H01B3/30 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵丹;郑毅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 绝缘 半导体 封装 方法 | ||
1.一种用于制造绝缘层的方法,包括:
将至少两个或更多个半导体元件密封在光敏树脂层与聚合物树脂层之间,其中所述聚合物树脂层形成在基底上并且包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂;
使所述光敏树脂层暴露于光并进行碱显影以形成光敏树脂块,以及同时使通过所述光敏树脂块暴露的聚合物树脂层进行碱显影以形成聚合物树脂块;以及
使所述聚合物树脂块固化,
其中在所述碱显影步骤中,至少一个半导体元件被密封在彼此接触的所述光敏树脂块与所述聚合物树脂块之间,
其中所述碱溶性树脂包含至少一个酸性官能团和至少一个经氨基取代的环状酰亚胺官能团。
2.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法,其中所述聚合物树脂块的最大纵向截面长度为相对于所述聚合物树脂层的最大截面长度的50%或更小。
3.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法,其中所述聚合物树脂块的最大纵向截面长度为100mm或更小。
4.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法,其中在所述碱显影步骤中,位于相邻的半导体元件之间的距离的10%至90%处的所述光敏树脂层或所述聚合物树脂层被除去,其中相邻的半导体元件之间的距离为两个相邻的半导体元件中从一个半导体元件的端部到另一个半导体元件的端部的最小距离。
5.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法,其中所述经氨基取代的环状酰亚胺官能团包括由以下化学式1表示的官能团:
[化学式1]
在化学式1中,
R1为形成酰亚胺环的具有1至10个碳原子的亚烷基或烯基,以及
“*”意指键合点。
6.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法,其中所述碱溶性树脂通过环状不饱和酰亚胺化合物与胺化合物的反应产生,并且所述环状不饱和酰亚胺化合物和所述胺化合物中的至少一者包含在其末端取代的酸性官能团。
7.根据权利要求6所述的用于制造绝缘层的方法,其中所述胺化合物包括选自以下的至少一者:经氨基取代的羧酸化合物和包含两个或更多个氨基的多官能胺化合物。
8.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法,其中所述碱溶性树脂包含至少一个由以下化学式3表示的重复单元和至少一个由以下化学式4表示的重复单元:
[化学式3]
在化学式3中,
R2为直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的烯基、或具有6至20个碳原子的亚芳基,以及
“*”意指键合点,
[化学式4]
在化学式4中,
R3为直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的烯基、或具有6至20个碳原子的亚芳基,
R4为-H、-OH、-NR5R6、卤素、或具有1至20个碳原子的烷基,
R5和R6各自独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基、或具有6至20个碳原子的芳基,以及
“*”意指键合点。
9.根据权利要求8所述的用于制造绝缘层的方法,其中所述碱溶性树脂通过包含由以下化学式5表示的重复单元的聚合物、由以下化学式6表示的胺和由以下化学式7表示的胺的反应产生:
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
在化学式5至7中,
R2至R4按照权利要求8中所定义,以及
“*”意指键合点。
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