[发明专利]有机发光二极管阵列基板、显示面板和显示设备、及制造方法有效
| 申请号： | 201880000176.3 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110447107B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王国英;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有子像素区域(A)和子像素间区域(B)的有机发光二极管阵列基板被公开。子像素间区域(B)中的有机发光二极管阵列基板包括：第一基底基板(10)；位于第一基底基板(10)上的像素定义层(20)，其用于定义多个子像素；隔垫物层(30)，其位于像素定义层(20)的远离第一基底基板(10)的一侧；辅助电极层(40)，其位于隔垫物层(30)的远离像素定义层(20)的一侧；以及第二电极层(50)，其位于辅助电极层(40)的远离隔垫物层(30)的一侧并且电连接至辅助电极层(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 阵列 显示 面板 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机发光二极管阵列基板，其具有子像素区域和子像素间区域；其中，所述子像素间区域中的所述有机发光二极管阵列基板包括：第一基底基板；位于所述第一基底基板上的像素定义层，其用于定义多个子像素；隔垫物层，其位于所述像素定义层的远离所述第一基底基板的一侧；辅助电极层，其位于所述隔垫物层的远离所述像素定义层的一侧；以及第二电极层，其位于所述辅助电极层的远离所述隔垫物层的一侧并且电连接至所述辅助电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880000176.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：参数放大器
- 下一篇：MOSFET以及电力转换电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
