[发明专利]有机发光二极管阵列基板、显示面板和显示设备、及制造方法有效
申请号: | 201880000176.3 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN110447107B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 显示 面板 设备 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管阵列基板,其具有子像素区域和子像素间区域;
其中,所述子像素间区域中的所述有机发光二极管阵列基板包括:
第一基底基板;
位于所述第一基底基板上的像素定义层,其用于定义多个子像素;
隔垫物层,其位于所述像素定义层的远离所述第一基底基板的一侧;
辅助电极层,其位于所述隔垫物层的远离所述像素定义层的一侧;以及
第二电极层,其位于所述辅助电极层的远离所述隔垫物层的一侧并且电连接至所述辅助电极层;
所述子像素区域中的所述有机发光二极管阵列基板包括:
所述第一基底基板;
第一电极层,其位于所述第一基底基板上;
有机发光层,其位于所述第一电极层的远离所述第一基底基板的一侧;以及
所述第二电极层,其位于所述有机发光层的远离所述第一电极层的一侧;
所述隔垫物层包括多个隔垫物块,每个隔垫物块位于所述像素定义层的远离所述第一基底基板的一侧;
所述辅助电极层包括多个辅助电极块,每个辅助电极块位于所述多个隔垫物块中的一个的远离所述像素定义层的一侧;
所述有机发光层延伸到所述子像素间区域中并且位于所述子像素间区域中的所述第二电极层和所述多个辅助电极块中的一个之间;
所述有机发光二极管阵列基板包括贯穿所述子像素间区域中的所述有机发光层的多个过孔;并且
所述子像素间区域中的所述多个辅助电极块中的每一个通过所述多个过孔电连接至所述第二电极层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述隔垫物层和所述辅助电极层在所述像素定义层上的正投影彼此至少部分地重叠。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述辅助电极层在所述像素定义层上的正投影实质上覆盖所述隔垫物层在所述像素定义层上的正投影。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述多个辅助电极块中的每一个包括位于靠近所述第二电极层且远离所述第一基底基板的一侧的多个突起;并且
所述多个突起分别通过所述子像素间区域中的所述有机发光层中的所述多个过孔突出,从而将所述第二电极层与所述多个辅助电极块中的每一个电连接。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述多个突起的平均尺寸在10nm至100nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述多个辅助电极块中的每一个在所述像素定义层上的正投影与所述多个隔垫物块中的一个在所述像素定义层上的正投影至少部分地重叠。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述多个辅助电极块中的每一个在所述像素定义层上的正投影实质上覆盖所述多个隔垫物块中的一个在所述像素定义层上的正投影。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其中,所述第二电极层包括实质上透明的电极材料;并且
所述辅助电极层包括金属材料。
9.一种有机发光二极管显示面板,包括:权利要求1至8中任一项所述的有机发光二极管阵列基板;和
对置基板,其面对所述有机发光二极管阵列基板;
其中,所述隔垫物层构造为保持所述有机发光二极管阵列基板和所述对置基板之间的间隔。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示面板,其中,所述隔垫物层包括多个隔垫物块,每个隔垫物块位于所述像素定义层的远离第一基底基板的一侧;并且
所述辅助电极层包括多个辅助电极块,每个辅助电极块位于所述多个隔垫物块中的一个的远离所述像素定义层的一侧;
其中,所述对置基板包括:
第二基底基板;和
覆盖层,其位于所述第二基底基板上;
其中,在具有所述多个隔垫物块的多个区域中的每一个中,所述覆盖层与所述有机发光二极管阵列基板直接接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的