[发明专利]有机发光二极管阵列基板、显示面板和显示设备、及制造方法有效
申请号: | 201880000176.3 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN110447107B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 显示 面板 设备 制造 方法 | ||
一种具有子像素区域(A)和子像素间区域(B)的有机发光二极管阵列基板被公开。子像素间区域(B)中的有机发光二极管阵列基板包括:第一基底基板(10);位于第一基底基板(10)上的像素定义层(20),其用于定义多个子像素;隔垫物层(30),其位于像素定义层(20)的远离第一基底基板(10)的一侧;辅助电极层(40),其位于隔垫物层(30)的远离像素定义层(20)的一侧;以及第二电极层(50),其位于辅助电极层(40)的远离隔垫物层(30)的一侧并且电连接至辅助电极层(40)。
技术领域
本发明涉及显示技术,更具体地,涉及有机发光二极管阵列基板、有机发光二极管显示面板、有机发光二极管显示设备、及制造有机发光二极管显示面板的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比,OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外,OLED显示设备可以制作得比典型的LCD更易弯曲、更薄且更轻。
发明内容
在一方面,本发明提供了一种具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管阵列基板;其中,子像素间区域中的有机发光二极管阵列基板包括:第一基底基板;位于第一基底基板上的像素定义层,其用于定义多个子像素;隔垫物层,其位于像素定义层的远离第一基底基板的一侧;辅助电极层,其位于隔垫物层的远离像素定义层的一侧;以及第二电极层,其位于辅助电极层的远离隔垫物层的一侧并且电连接至辅助电极层。
可选地,隔垫物层和辅助电极层在像素定义层上的正投影彼此至少部分地重叠。
可选地,辅助电极层在像素定义层上的正投影基本上覆盖隔垫物层在像素定义层上的正投影。
可选地,子像素区域中的有机发光二极管阵列基板包括:第一基底基板;第一电极层,其位于第一基底基板上;有机发光层,其位于第一电极层的远离第一基底基板的一侧;和第二电极层,其位于有机发光层的远离第一电极层的一侧。
可选地,隔垫物层包括多个隔垫物块,每个隔垫物块位于像素定义层的远离第一基底基板的一侧;辅助电极层包括多个辅助电极块,每个辅助电极块位于多个隔垫物块中的一个的远离像素定义层的一侧;有机发光层延伸到子像素间区域中并且位于子像素间区域中的第二电极层和多个辅助电极块中的一个之间;有机发光二极管阵列基板包括贯穿子像素间区域中的有机发光层的多个过孔;并且,子像素间区域中的多个辅助电极块中的所述一个通过多个过孔电连接至第二电极层。
可选地,多个辅助电极块中的所述一个包括位于靠近第二电极层且远离第一基底基板的一侧的多个突起;并且多个突起分别通过子像素间区域中的有机发光层中的多个过孔突出,从而将第二电极层与多个辅助电极块中的所述一个电连接。
可选地,多个突起的平均尺寸在约10nm至约100nm的范围内。
可选地,多个辅助电极块中的每一个在像素定义层上的正投影与多个隔垫物块中的一个在像素定义层上的正投影至少部分地重叠。
可选地,多个辅助电极块中的每一个在像素定义层上的正投影基本上覆盖多个隔垫物块中的一个在像素定义层上的正投影。
可选地,第二电极层包括基本上透明的电极材料;并且辅助电极层包括金属材料。
在另一方面,本发明提供了一种有机发光二极管显示面板,包括本文描述的有机发光二极管阵列基板或通过本文描述的方法制造的有机发光二极管阵列基板;和对置基板,其面对有机发光二极管阵列基板;其中,隔垫物层构造为保持有机发光二极管阵列基板和对置基板之间的间隔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的