[实用新型]一种钝化接触的P型MWT电池

摘要

本实用新型公开了一种钝化接触的P型MWT电池，包括电池本体，电池本体的内部中心处有P型硅，P型硅的后表面形成有二氧化硅层，二氧化硅层的外表面形成有掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层的外表面形成有氮化硅层，氮化硅层的外表面形成有第一金属，第一金属贯穿氮化硅层与掺磷多晶硅层接触，氮化硅层的外表面覆盖有第二金属，P型硅的前表面形成有掺杂硼的P+层，掺杂硼的P+层的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层。本实用新型中，首先采用隧穿钝化层钝化PERC电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率。

主权项

1.一种钝化接触的P型MWT电池，包括电池本体（18），其特征在于：所述电池本体（18）的内部中心处有P型硅（4），所述P型硅（4）的后表面形成有二氧化硅层（5），所述二氧化硅层（5）的外表面形成有掺磷多晶硅层（6），所述掺磷多晶硅层（6）的外表面形成有氮化硅层（7），所述氮化硅层（7）的外表面形成有第一金属（8），所述第一金属（8）贯穿氮化硅层（7）与掺磷多晶硅层（6）接触，所述氮化硅层（7）的外表面覆盖有第二金属（9），所述P型硅（4）的前表面形成有掺杂硼的P+层（3），所述掺杂硼的P+层（3）的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层（2），所述P型硅（4）的后表面中心处设置有金属正电极（10），所述P型硅（4）的后表面中心处设置有金属负电极（1）,所述金属负电极（1）通过孔洞穿过P型硅（4）与氮化硅层（7）的外表面覆盖。/n