[实用新型]一种钝化接触的P型MWT电池

说明书

本实用新型公开了一种钝化接触的P型MWT电池，包括电池本体，电池本体的内部中心处有P型硅，P型硅的后表面形成有二氧化硅层，二氧化硅层的外表面形成有掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层的外表面形成有氮化硅层，氮化硅层的外表面形成有第一金属，第一金属贯穿氮化硅层与掺磷多晶硅层接触，氮化硅层的外表面覆盖有第二金属，P型硅的前表面形成有掺杂硼的P+层，掺杂硼的P+层的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层。本实用新型中，首先采用隧穿钝化层钝化PERC电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率。

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，尤其涉及钝化接触的P型MWT电池。

背景技术

太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环境污染，在太阳能的有效利用当中，太阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一，为此，人们研制和开发了太阳能电池，制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电子转换反应。

但是，现有技术中，由于P型晶体硅电池背面钝化膜钝化，背面局部铝背场接触的PERC晶体硅太阳电池已经得到大规模的产业化，产业化效率也达到21.5% 以上。背面局部铝背场接触的接触处少数载流子复合仍旧比较大，限制了产业化PERC晶体硅电池转换效率的进一步提高。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的钝化接触的P型MWT电池。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：钝化接触的P型MWT电池，包括电池本体，所述电池本体的内部中心处嵌设有P型硅，所述P型硅的后表面形成有二氧化硅层，所述二氧化硅层的外表面形成有掺磷多晶硅层，所述掺磷多晶硅层的外表面形成有氮化硅层，所述氮化硅层的外表面形成有第一金属，所述第一金属贯穿氮化硅层与掺磷多晶硅层接触，所述氮化硅层的外表面覆盖有第二金属，所述P型硅的前表面形成有掺杂硼的P+层，所述掺杂硼的P+层的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层，所述P型硅的后表面中心处设置有金属正电极，所述P型硅的后表面中心处设置有金属负电极,所述金属负电极通过孔洞穿过P型硅与氮化硅层的外表面覆盖。

优选的，所述电池本体共设置有多个，且多个电池本体的底部固定有固定板，所述电池本体的两侧外表面均固定有方形块，所述方形块的一侧外表面沿水平中线开设有滑槽，所述滑槽的内表壁滑动嵌设有滑块。

优选的，所述滑块共设置有多个，且分为多组，每组两个滑块的一侧外表面焊接有固定块，所述固定块的顶部中心处焊接有拉杆，所述固定块的底部固定有毛刷，且毛刷的底部与固定板的顶部形成。

优选的，所述二氧化硅层的厚度为0.5-2nm。

优选的，所述掺磷多晶硅层的厚度为10-40nm。

优选的，所述氮化硅层的厚度为50-200nm。

优选的，所述掺杂硼的P+层的厚度为100-600nm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：首先采用隧穿钝化层钝化PERC电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率，其次，通过对拉杆进行拉动，从而使固定块底部的毛刷可以更好的对固定板顶部进行扫动，使其可以更好的对两两电池本体之间的灰尘进行清理，从而可以更好的减少灰尘对电池本体的使用，使其可以更好的对太阳能进行使用，便于提高使用效果。

附图说明

图1为本实用新型的俯视剖视图。

图2为本实用新型俯视图。