[实用新型]一种钝化接触的P型MWT电池有效
| 申请号: | 201822269996.2 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN209729915U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
| 发明(设计)人: | 张高洁;路忠林;吴仕梁;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/0264 |
| 代理公司: | 32326 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 缪友建<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化硅层 面形 掺磷多晶硅 电池 本实用新型 二氧化硅层 电池本体 金属电极 受光面 金属 钝化 掺杂 孔洞 氮化硅钝化 电池效率 硅片背面 少子复合 钝化层 后表面 接触处 前表面 中心处 主栅线 氧化铝 硅片 叠层 减小 隧穿 遮光 主栅 背面 贯穿 覆盖 | ||
1.一种钝化接触的P型MWT电池,包括电池本体(18),其特征在于:所述电池本体(18)的内部中心处有P型硅(4),所述P型硅(4)的后表面形成有二氧化硅层(5),所述二氧化硅层(5)的外表面形成有掺磷多晶硅层(6),所述掺磷多晶硅层(6)的外表面形成有氮化硅层(7),所述氮化硅层(7)的外表面形成有第一金属(8),所述第一金属(8)贯穿氮化硅层(7)与掺磷多晶硅层(6)接触,所述氮化硅层(7)的外表面覆盖有第二金属(9),所述P型硅(4)的前表面形成有掺杂硼的P+层(3),所述掺杂硼的P+层(3)的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层(2),所述P型硅(4)的后表面中心处设置有金属正电极(10),所述P型硅(4)的后表面中心处设置有金属负电极(1),所述金属负电极(1)通过孔洞穿过P型硅(4)与氮化硅层(7)的外表面覆盖。
2.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池,其特征在于:所述电池本体(18)共设置有多个,且多个电池本体(18)的底部固定有固定板(11),所述电池本体(18)的两侧外表面均固定有方形块(12),所述方形块(12)的一侧外表面沿水平中线开设有滑槽(13),所述滑槽(13)的内表壁滑动嵌设有滑块(15)。
3.根据权利要求2所述的钝化接触的P型MWT电池,其特征在于:所述滑块(15)共设置有多个,且分为多组,每组两个滑块(15)的一侧外表面焊接有固定块(16),所述固定块(16)的顶部中心处焊接有拉杆(14),所述固定块(16)的底部固定有毛刷(17),且毛刷(17)的底部与固定板(11)的顶部形成。
4.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池,其特征在于:所述二氧化硅层(5)的厚度为0.5-2nm。
5.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池,其特征在于:所述掺磷多晶硅层(6)的厚度为10-40nm。
6.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池,其特征在于:所述氮化硅层(7)的厚度为50-200nm。
7.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池,其特征在于:所述掺杂硼的P+层(3)的厚度为100-600nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏日托光伏科技股份有限公司,未经江苏日托光伏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822269996.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





