[实用新型]氧化炉管有效
申请号: | 201822217689.X | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN209056471U | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 刘恒;李根;黄永发;谭少阳;龚来俊;王俊 | 申请(专利权)人: | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 杨淑霞 |
地址: | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种应用于半导体工艺的氧化炉管,其包括:管体、延伸至管体中的喷淋管和氮气管以及安装于管体中的挡板;喷淋管的一端延伸至管体中,喷淋管位于管体中的部分开设有多个与管体内部相连通的喷淋孔,多个喷淋孔沿喷淋管的延伸方向间隔排布,多个喷淋孔具有喷淋区域,喷淋区域覆盖管体中石英舟的放置区域,石英舟的放置区域与管体中的尾端由挡板所隔离,氮气管的一端连接至管体的端面上,并与管体内部相连通。本实用新型通过在管体内设置挡板,避免了水倒流回炉管中,有利于改善晶圆氧化的均匀度。此外,通过设置喷淋管,使得水蒸气以喷淋方式进入到管体中,提高了水蒸气的利用率,降低了管体中水汽的含量,有利于进一步减少冷凝水。 | ||
搜索关键词: | 管体 喷淋管 挡板 喷淋孔 水蒸气 本实用新型 放置区域 管体内部 喷淋区域 氧化炉管 氮气管 石英舟 延伸 半导体工艺 方向间隔 一端连接 水汽 均匀度 冷凝水 回炉 晶圆 排布 喷淋 隔离 体内 覆盖 应用 | ||
【主权项】:
1.一种氧化炉管,其特征在于,所述氧化炉管包括:管体、延伸至所述管体中的喷淋管和氮气管以及安装于所述管体中的挡板;所述喷淋管的一端延伸至所述管体中,所述喷淋管位于所述管体中的部分开设有多个与所述管体内部相连通的喷淋孔,多个喷淋孔沿所述喷淋管的延伸方向间隔排布,多个喷淋孔具有喷淋区域,所述喷淋区域覆盖所述管体中石英舟的放置区域,所述石英舟的放置区域与所述管体中的尾端由所述挡板所隔离,所述氮气管的一端连接至所述管体的端面上,并与所述管体内部相连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造