[实用新型]氧化炉管

说明书

本实用新型提供一种应用于半导体工艺的氧化炉管，其包括：管体、延伸至管体中的喷淋管和氮气管以及安装于管体中的挡板；喷淋管的一端延伸至管体中，喷淋管位于管体中的部分开设有多个与管体内部相连通的喷淋孔，多个喷淋孔沿喷淋管的延伸方向间隔排布，多个喷淋孔具有喷淋区域，喷淋区域覆盖管体中石英舟的放置区域，石英舟的放置区域与管体中的尾端由挡板所隔离，氮气管的一端连接至管体的端面上，并与管体内部相连通。本实用新型通过在管体内设置挡板，避免了水倒流回炉管中，有利于改善晶圆氧化的均匀度。此外，通过设置喷淋管，使得水蒸气以喷淋方式进入到管体中，提高了水蒸气的利用率，降低了管体中水汽的含量，有利于进一步减少冷凝水。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于半导体工艺中的氧化炉管。

背景技术

目前，半导体领域中，氧化工艺使用的氧化炉管，从炉体伸出一段距离，在上面设置有接气口，通过该接气口可将氮气、水蒸气通入到氧化炉管中。具体地，氧化工艺主要是通过将氮气通入被加热到97℃的鼓泡瓶中，将其水蒸汽带入炉管中，从而达到湿法氧化的目的。在长期氧化的工艺中，有两个问题逐渐暴露出来。第一，在炉管尾部的冷凝水的量异常的大，当其到达一定量，水就会倒流回炉管中，导致炉管中的温度低于我们的设定值，随即氧化效果受到影响。第二，氧化出的晶圆在一定方向上存在氧化深度不均匀的现象，大大影响了良率和产出。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种氧化炉管，以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种氧化炉管，其包括：管体、延伸至所述管体中的喷淋管和氮气管以及安装于所述管体中的挡板；

所述喷淋管的一端延伸至所述管体中，所述喷淋管位于所述管体中的部分开设有多个与所述管体内部相连通的喷淋孔，多个喷淋孔沿所述喷淋管的延伸方向间隔排布，多个喷淋孔具有喷淋区域，所述喷淋区域覆盖所述管体中石英舟的放置区域，所述石英舟的放置区域与所述管体中的尾端由所述挡板所隔离，所述氮气管的一端连接至所述管体的端面上，并与所述管体内部相连通。

作为本实用新型的氧化炉管的改进，多个喷淋孔以阵列方式开设于所述喷淋管的表面上。

作为本实用新型的氧化炉管的改进，任一排喷淋孔中具有第一尺寸的喷淋孔和第二尺寸的喷淋孔，所述第一尺寸大于第二尺寸，任一第一尺寸的喷淋孔的两侧设置有所述第二尺寸的喷淋孔。

作为本实用新型的氧化炉管的改进，所述第一尺寸为2mm，第二尺寸为1.5mm。

作为本实用新型的氧化炉管的改进于，所述挡板与所述管体的内侧壁相垂直，且所述挡板与所述管体一体成型。

作为本实用新型的氧化炉管的改进，所述氧化炉管还包括测温管，所述测温管的一端延伸至所述管体中的石英舟的放置区域。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型的氧化炉管通过在管体内设置挡板，避免了水倒流回炉管中，有利于改善晶圆氧化的均匀度。此外，通过设置喷淋管，使得水蒸气以喷淋方式进入到管体中，提高了水蒸气的利用率，降低了管体中水汽的含量，有利于进一步减少冷凝水。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的氧化炉管一具体实施方式的平面示意图。

具体实施方式