[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201822204114.4 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN209169137U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 杨道国;王希有;蔡苗;张国旗 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：引线框架；半导体芯片，半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；第一导电粘接层及第二导电粘接层，分别设置在引线框架的第一引脚及半导体芯片的源极上；导电金属片，导电金属片的一端通过第一导电粘接层与第一引脚相连接，将导电金属片的另一端通过第二导电粘接层与半导体芯片的源极相连接。由于采用导电金属片无需使用铝线或铝带键合工艺实现，降低了半导体封装工艺门槛与封装设备成本，并且导电金属片可以根据半导体芯片封装性能要求定制各种规格，有利于提高半导体封装结构的电学性能与散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电金属片 半导体封装结构 半导体芯片 导电粘接层 引线框架 引脚 源极 半导体封装工艺 半导体芯片封装 铝线 本实用新型 电学性能 封装设备 键合工艺 散热性能 性能要求 漏极 铝带 门槛 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：引线框架；半导体芯片，所述半导体芯片的漏极设置于所述引线框架的主体上；第一导电粘接层及第二导电粘接层，分别设置在所述引线框架的第一引脚及所述半导体芯片的源极上；导电金属片，所述导电金属片的一端通过所述第一导电粘接层与所述第一引脚相连接，将所述导电金属片的另一端通过所述第二导电粘接层与所述半导体芯片的源极相连接。
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