[实用新型]半导体封装结构

说明书

本实用新型提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：引线框架；半导体芯片，半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；第一导电粘接层及第二导电粘接层，分别设置在引线框架的第一引脚及半导体芯片的源极上；导电金属片，导电金属片的一端通过第一导电粘接层与第一引脚相连接，将导电金属片的另一端通过第二导电粘接层与半导体芯片的源极相连接。由于采用导电金属片无需使用铝线或铝带键合工艺实现，降低了半导体封装工艺门槛与封装设备成本，并且导电金属片可以根据半导体芯片封装性能要求定制各种规格，有利于提高半导体封装结构的电学性能与散热性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，更具体而言，涉及一种半导体封装结构。

背景技术

近年来，功率半导体应用领域不断扩展，其工作电流不断提升，尤其是电力电子与汽车电子等高功率应用场景更是如此，这就要求功率半导体封装微互连具备更强的电流承载能力。当前的做法是通过键合多根互连引线，尤其是大功率芯片封装，多是键合多根铝线或铝带。然而，铝线与铝带的键合工艺对设备性能要求极高，目前国内尚无成熟铝线或铝带键合设备供应，只能高价进口欧美国家的设备，极大的拉高了功率器件封装成本。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本实用新型的一个方面提供了一种半导体封装结构。

鉴于上述，根据实用新型的一个方面提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：引线框架；半导体芯片，半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；第一导电粘接层及第二导电粘接层，分别设置在引线框架的第一引脚及半导体芯片的源极上；导电金属片，导电金属片的一端通过第一导电粘接层与第一引脚相连接，将导电金属片的另一端通过第二导电粘接层与半导体芯片的源极相连接。

本实用新型提供的半导体封装结构包括引线框架，半导体芯片，第一导电粘接层，第二导电粘接层和导电金属片，半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上，使得半导体芯片的漏极可与引线框架实现机械互连与电气导通，第一导电粘接层及第二导电粘接层分别设置在引线框架的第一引脚及半导体芯片的源极上，导电金属片的一端通过第一导电粘接层与第一引脚相连接，再将导电金属片的另一端通过第二导电粘接层与半导体芯片的源极相连接，通过设置导电金属片实现引线框架的第一引脚与半导体芯片的源极相连接的效果，进而使得引线框架与半导体芯片的源极实现机械互连与电气导通；由于采用导电金属片无需使用铝线或铝带键合工艺实现，降低了半导体封装工艺门槛与封装设备成本，并且导电金属片可以根据半导体芯片封装性能要求定制各种规格，有利于提高半导体封装结构的电学性能与散热性能。

优选地，在选择导电金属片时需要考虑半导体芯片的功率值，并且导电金属片的阻值与半导体芯片的功率值正相关，以便于能按照半导体芯片的功率值选取合适的导电金属片，以使得半导体封装结构具备更强的电流承载能力。

另外，根据本实用新型上述技术方案提供的一种半导体封装结构还具有如下附加技术特征：

在上述任一技术方案中，优选地，半导体封装结构还包括：键合引线，键合引线的一端与半导体芯片的栅极相连接，键合引线的另一端与引线框架的第二引脚相连接；封装壳体，封装壳体将部分引线框架、半导体芯片、导电金属片和键合引线进行封装。

在该技术方案中，半导体封装结构还包括键合引线和封装壳体，键合引线的一端与半导体芯片的栅极相连接，键合引线的另一端与引线框架的第二引脚相连接，使得引线框架的第二引脚与半导体芯片的栅极实现，随后再通过封装壳体包封部分引线框架、半导体芯片、实现导电金属片和键合引线机械互连与电气导通。

在上述任一技术方案中，优选地，半导体封装结构还包括：第三导电粘接层，第三导电粘接层设置在引线框架的主体与半导体芯片之间。