[实用新型]半导体封装结构有效
申请号: | 201822204114.4 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN209169137U | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 杨道国;王希有;蔡苗;张国旗 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/60 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电金属片 半导体封装结构 半导体芯片 导电粘接层 引线框架 引脚 源极 半导体封装工艺 半导体芯片封装 铝线 本实用新型 电学性能 封装设备 键合工艺 散热性能 性能要求 漏极 铝带 门槛 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:
引线框架;
半导体芯片,所述半导体芯片的漏极设置于所述引线框架的主体上;
第一导电粘接层及第二导电粘接层,分别设置在所述引线框架的第一引脚及所述半导体芯片的源极上;
导电金属片,所述导电金属片的一端通过所述第一导电粘接层与所述第一引脚相连接,将所述导电金属片的另一端通过所述第二导电粘接层与所述半导体芯片的源极相连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:
键合引线,所述键合引线的一端与所述半导体芯片的栅极相连接,所述键合引线的另一端与所述引线框架的第二引脚相连接;
封装壳体,所述封装壳体将部分所述引线框架、所述半导体芯片、所述导电金属片和所述键合引线进行封装。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:
第三导电粘接层,所述第三导电粘接层设置在所述引线框架的主体与所述半导体芯片之间。
4.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构,其特征在于,
所述引线框架的第一引脚的表面积大于所述引线框架的第二引脚的表面积。
5.根据权利要求1或2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:
过渡段,所述过渡段为倾斜设置,所述过渡段将所述引线框架的第一引脚和第二引脚与所述引线框架的主体相连接,以使得所述第一导电粘接层和所述第二导电粘接层位于同一平面上。
6.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,
在所述导电金属片与所述键合引线均与所述半导体芯片相连接后,所述导电金属片与所述键合引线在所述半导体芯片的表面所在平面上的投影无重合区域。
7.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,
所述导电金属片的两端的表面积分别大于所述第一导电粘接层及所述第二导电粘接层的表面积,以使得所述导电金属片的两端分别可完全覆盖所述第一导电粘接层及所述第二导电粘接层。
8.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,
所述导电金属片的阻值与所述半导体芯片的功率值正相关。
9.根据权利要求3所述的半导体封装结构,其特征在于,
所述第一导电粘接层为以下任一或组合:导电胶、钎焊材料或共晶焊材料;和/或
所述第二导电粘接层为以下任一或组合:导电胶、钎焊材料或共晶焊材料;和/或
所述第三导电粘接层为以下任一或组合:导电胶、钎焊材料或共晶焊材料。
10.根据权利要求3所述的半导体封装结构,其特征在于,
所述第一导电粘接层、所述第二导电粘接层及所述第三导电粘接层分别为连续的片状结构或为离散分布的凸块状结构。
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