[实用新型]延长MOS管使用寿命的保护电路结构有效
| 申请号： | 201822165266.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN209088539U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 曹骞;王坤;袁德方 | 申请（专利权）人： | 上海市共进通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁;郑暄 |
| 地址： | 200235 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构，包括RC保护电路，一端与MOS管的漏极相连接，另一端与MOS管的源极相连接；MOS管的栅极与控制管脚相连接；MOS管的漏极正向偏置；MOS管的源极反向偏置。采用了本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，改善了常用的MOS管保护器件在电路断电后，由于反向瞬态感应电动势的存在对MOS管的破坏作用，基于阻容放电特性，在MOS管两端加阻容保护电路，使瞬态感应电动势破坏作用消失，成本低，操作简便，适用范围较为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 电路结构 使用寿命 本实用新型 感应电动势 漏极 瞬态 源极 电路 阻容保护电路 保护器件 反向偏置 控制管脚 正向偏置 阻容放电 断电 | ||
【主权项】：
1.一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括RC保护电路，一端与MOS管的漏极相连接，另一端与MOS管的源极相连接；MOS管的栅极与控制管脚相连接；MOS管的漏极正向偏置；MOS管的源极反向偏置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海市共进通信技术有限公司，未经上海市共进通信技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822165266.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
