[实用新型]延长MOS管使用寿命的保护电路结构

说明书

本实用新型涉及一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构，包括RC保护电路，一端与MOS管的漏极相连接，另一端与MOS管的源极相连接；MOS管的栅极与控制管脚相连接；MOS管的漏极正向偏置；MOS管的源极反向偏置。采用了本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，改善了常用的MOS管保护器件在电路断电后，由于反向瞬态感应电动势的存在对MOS管的破坏作用，基于阻容放电特性，在MOS管两端加阻容保护电路，使瞬态感应电动势破坏作用消失，成本低，操作简便，适用范围较为广泛。

技术领域

本实用新型涉及MOS管领域，尤其涉及MOS管保护领域，具体是指一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构。

背景技术

MOS管具有耐电压高，低导通阻抗的特性(导通阻抗20mΩ)，当断电后，电路中存在反向瞬态感应电动势，此电动势造成MOS管被破坏，延缓MOS管使用寿命，本实用新型基于阻容放电特性，在MOS管两端加阻容保护电路，使瞬态感应电动势破坏作用消失。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种成本低、操作简便、适用范围较为广泛的延长MOS管使用寿命的保护电路结构。

为了实现上述目的，本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构如下：

该延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其主要特点是，所述的电路结构包括RC保护电路，一端与MOS管的漏极相连接，另一端与MOS管的源极相连接；MOS管的栅极与控制管脚相连接；MOS管的漏极正向偏置；MOS管的源极反向偏置。

较佳地，所述的RC保护电路包括电阻和电容，所述的电阻和电容串联跨接于所述的MOS管的漏极与源极之间。

较佳地，所述的电阻的电阻值可以为KΩ级。

较佳地，所述的电容的电容值可以为pF级。

采用了本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，改善了常用的MOS管保护器件在电路断电后，由于反向瞬态感应电动势的存在对MOS管的破坏作用，基于阻容放电特性，在MOS管两端加阻容保护电路，使瞬态感应电动势破坏作用消失，成本低，操作简便，适用范围较为广泛。

附图说明

图1为本实用新型的延长MOS管使用寿命的保护电路结构的电路结构图。

具体实施方式

为了能够更清楚地描述本实用新型的技术内容，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。

该延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其中，所述的系统包括RC保护电路，一端与MOS管的漏极(D极)相连接，另一端与MOS管的源极(S极)相连接；MOS管的栅极(G极)与控制管脚相连接；该MOS管的漏极正向偏置；MOS管的源极反向偏置。

作为本实用新型的优选实施方式，所述的RC保护电路包括电阻R和电容C，所述的电阻R和电容C串联跨接于所述的MOS管的漏极与源极之间。

作为本实用新型的优选实施方式，所述的电阻R的电阻值可以为KΩ级，也可以根据需要选择其它合适的阻值。

作为本实用新型的优选实施方式，其中，所述的电容C的电容值可以为pF级，也可以根据需要选择其它合适的阻值。

本实用新型的具体实施方式中，如图1所示，MOS管保护电路，栅极接控制管脚，漏极正向偏置，源极反向偏置，电路断电瞬间由于感应电动势的存在。源极会正偏，漏极反向偏置，此时MOS管器件会被破坏，减少MOS管使用寿命.本实用新型在电路漏极，源极之间加RC保护电路，可以起到保护电路，减小反向瞬态感应电动势对MOS管的破坏作用。

如图1，断电后反向感应电动势通过电阻R对电容C充电，充电作用的存在抵消了反向电动势对MOS管的破坏作用。