[实用新型]延长MOS管使用寿命的保护电路结构有效
| 申请号： | 201822165266.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN209088539U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 曹骞;王坤;袁德方 | 申请（专利权）人： | 上海市共进通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁;郑暄 |
| 地址： | 200235 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路结构 使用寿命 本实用新型 感应电动势 漏极 瞬态 源极 电路 阻容保护电路 保护器件 反向偏置 控制管脚 正向偏置 阻容放电 断电 | ||
【权利要求书】：
1.一种延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括RC保护电路，一端与MOS管的漏极相连接，另一端与MOS管的源极相连接；MOS管的栅极与控制管脚相连接；MOS管的漏极正向偏置；MOS管的源极反向偏置。
2.根据权利要求1所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的RC保护电路包括电阻(R)和电容(C)，所述的电阻(R)和电容(C)串联跨接于所述的MOS管的漏极与源极之间。
3.根据权利要求2所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的电阻(R)的电阻值为KΩ级。
4.根据权利要求2所述的延长MOS管使用寿命的保护电路结构，其特征在于，所述的电容(C)的电容值为pF级。
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