[实用新型]具有电极的半导体装置有效
| 申请号： | 201821977145.7 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209199933U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有电极的半导体装置，半导体装置包含多个沟槽；电极具有平坦区域以及接触区域，接触区域容置在沟槽中，平坦区域设置在接触区域上；其中，平坦区域在第一平面上的投影形状是长方形，且接触区域在第一平面上的投影形状是具有多个弧，借此，电极的接触电阻值较传统半导体装置的电阻值，可以降低20～50％。 | ||
| 搜索关键词： | 接触区域 电极 半导体装置 平坦区域 投影形状 传统半导体装置 电阻 容置 | ||
【主权项】：
1.一种具有电极的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包含多个沟槽；所述电极具有平坦区域以及接触区域，所述接触区域容置在所述沟槽中，所述平坦区域设置在所述接触区域上；所述平坦区域在第一平面上的投影形状是长方形，并且，所述接触区域在第一平面上的投影形状是弧形。
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