[实用新型]具有电极的半导体装置

说明书

一种具有电极的半导体装置，半导体装置包含多个沟槽；电极具有平坦区域以及接触区域，接触区域容置在沟槽中，平坦区域设置在接触区域上；其中，平坦区域在第一平面上的投影形状是长方形，且接触区域在第一平面上的投影形状是具有多个弧，借此，电极的接触电阻值较传统半导体装置的电阻值，可以降低20～50％。

技术领域

本实用新型提供一具有电极的半导体装置，特别是具有沟槽电极的三五族半导体装置。

背景技术

半导体器件尺寸的持续微缩是半导体工艺的趋势。而且，三五族器件 (如：氮化镓高速电晶体)应用于射频(RF)以及高功率(high power)器件是未来的潮流。同时，在射频器件领域，持续地微缩器件来提升性能已经是不可避免的趋势。但随着器件尺寸持续微缩，接触阻抗跟电阻系数以及接触面积有关，因此，电极中的欧姆区的接触阻抗占整体器件阻抗的比例就越大。对于高功率器件而言，会造成电流在电极的功率耗损上升，影响器件主动区域的效率；而对于射频器件而言，电极的阻抗上升会进一步影响器件反应时间，造成射频器件截止频率与反应时间下降。

实用新型内容

为了改善现有技术所提及的缺失，本实用新型的目的是提供一种具有电极的半导体装置，包含多个沟槽；而电极具有平坦区域以及接触区域，接触区域容置在沟槽中，平坦区域设置在接触区域上；其中，平坦区域在第一平面上的投影形状是长方形，且接触区域在第一平面上的投影形状是弧形，借此，电极的接触电阻值较传统半导体装置的电阻值，可以降低20～50％。

优选的，半导体装置是由氮化镓、硅、碳化硅，或是n型半导体材质所构成。

优选的，电极是半导体器件的栅极。

优选的，半导体装置设置有多个沟槽，接触区域容置在沟槽中。

优选的，在电极中，平坦区域是金属层，接触区域具有金属硅化物。

优选的，弧形的半径范围在1nm-100nm之间。

本实用新型使用简单的制程，不用太复杂的技术，只需增加一道微影与蚀刻，让半导体装置表面形成曲面半径非无限大的沟槽。相较于传统电极与半导体装置的表面是一个平面(曲面半径是无限大)，本实用新型所设置的曲面半径非无限大的沟槽，可以扩大电极与半导体装置的接触面积，以能达到降低器件接触阻抗的目的以形成微小的半导体器件，以达到降低接触阻抗的效果。接触面积越大，阻抗就会越小，电性表现越好。此实用新型在于利用简单的制程设计，增加一道微影与蚀刻，来提高欧姆区的等校接触面积，让器件的接触阻抗能有效降低，进而提升其电性表现。

附图说明

图1是本实用新型所提供的，衬底上形成多个外延层的三五族化合物半导体装置的示意图；

图2是根据本实用新型所提供的技术，表示本实用新型提供一种形成在半导体装置上的电极在第一平面上的示意图；

图3是根据本实用新型所提供的技术，表示传统形成在半导体装置上的电极在第一平面上的示意图；

图4(a)-图4(d)是根据本实用新型所提供的技术，表示半导体器件电极形成的工艺流程，在第二平面上的示意图；以及

图5(a)-图5(d)是根据本实用新型所提供的技术，表示在半导体装置上的主动区域形成多个沟槽的执行步骤，在第二平面上的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术特征及优点，能更为相关技术领域人员所了解，并得以实施本实用新型，在此配合所附的图式、具体阐明本实用新型的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本实用新型特征有关的示意，并不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的技术内容，亦不再加以陈述。