[实用新型]具有电极的半导体装置有效
| 申请号： | 201821977145.7 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209199933U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触区域 电极 半导体装置 平坦区域 投影形状 传统半导体装置 电阻 容置 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有电极的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包含多个沟槽；所述电极具有平坦区域以及接触区域，所述接触区域容置在所述沟槽中，所述平坦区域设置在所述接触区域上；所述平坦区域在第一平面上的投影形状是长方形，并且，所述接触区域在第一平面上的投影形状是弧形。
2.如权利要求1所述的具有电极的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置是由氮化镓、硅、或是碳化硅所构成。
3.如权利要求1所述的具有电极的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置是n型半导体材质。
4.如权利要求1所述的具有电极的半导体装置，其特征在于，所述电极是半导体器件的栅极。
5.如权利要求1所述的具有电极的半导体装置，其特征在于，所述弧形的半径范围在1nm-100nm之间。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述平坦区域是金属层。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接触区域具有金属硅化物。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽是由多个凹陷或是堑渠所构成。
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