[实用新型]三五族场效晶体管有效
| 申请号： | 201821955539.2 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN209199935U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种三五族场效晶体管，包括衬底、设置于衬底上的主动层、设置于主动层上的介电层、及设置于介电层上的T型栅极层。介电层的介电常数为3.5～5.5之间。介电层具有第一部位与第二部位，第一部位与第二部位之间形成接触窗，接触窗用于暴露部份的主动层。T型栅极层通过接触窗与部份的主动层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 主动层 接触窗 场效晶体管 衬底 介电常数 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种三五族场效晶体管，其特征在于，包括：衬底；主动层，设置于所述衬底上；介电层，设置于所述主动层上，具有第一部位与第二部位，所述第一部位与所述第二部位之间形成接触窗，所述接触窗用于暴露部份的所述主动层；以及T型栅极层，设置于所述介电层上，且所述T型栅极层通过所述接触窗与所述部份的主动层接触；其中，所述介电层的介电常数为3.5～5.5之间。
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