[实用新型]三五族场效晶体管有效
| 申请号： | 201821955539.2 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN209199935U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 主动层 接触窗 场效晶体管 衬底 介电常数 暴露 | ||
1.一种三五族场效晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
主动层，设置于所述衬底上；
介电层，设置于所述主动层上，具有第一部位与第二部位，所述第一部位与所述第二部位之间形成接触窗，所述接触窗用于暴露部份的所述主动层；以及
T型栅极层，设置于所述介电层上，且所述T型栅极层通过所述接触窗与所述部份的主动层接触；其中，
所述介电层的介电常数为3.5～5.5之间。
2.如权利要求1所述的三五族场效晶体管，其特征在于，更包括源极层与漏极层，所述T型栅极层设置于所述源极层与所述漏极层之间。
3.如权利要求2所述的三五族场效晶体管，其特征在于，更包括缓冲层，设置于所述衬底与所述主动层之间。
4.如权利要求3所述的三五族场效晶体管，其特征在于，所述源极层设置于所述缓冲层上，所述源极层覆盖部份所述缓冲层，且接触所述主动层及所述介电层的所述第一部位。
5.如权利要求3所述的三五族场效晶体管，其特征在于，所述漏极层设置于所述缓冲层上，所述漏极层覆盖部份所述缓冲层，且接触所述主动层及所述介电层的所述第二部位。
6.如权利要求2所述的三五族场效晶体管，其特征在于，更包括：
p型半导体层，设置于所述主动层上，并覆盖部份所述主动层；以及
所述漏极层设置于所述p型半导体层上。
7.如权利要求1所述的三五族场效晶体管，其特征在于，所述T型栅极层具有：
顶部位，相对于所述介电层水平延伸，覆盖所述第一部位与所述第二部位；
柄部位，从所述顶部位以垂直所述介电层的方向延伸；以及
底部位，位于所述柄部位的底面，接触所述接触窗。
8.如权利要求7所述的三五族场效晶体管，其特征在于，在X轴方向上，所述T型栅极层的所述顶部位覆盖在所述介电层的所述第一部位与所述第二部位的覆盖范围为之间。
9.如权利要求1所述的三五族场效晶体管，其特征在于，所述介电层的厚度为之间。
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