[实用新型]三五族场效晶体管

说明书

一种三五族场效晶体管，包括衬底、设置于衬底上的主动层、设置于主动层上的介电层、及设置于介电层上的T型栅极层。介电层的介电常数为3.5～5.5之间。介电层具有第一部位与第二部位，第一部位与第二部位之间形成接触窗，接触窗用于暴露部份的主动层。T型栅极层通过接触窗与部份的主动层接触。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术领域，特别是有关于具高频率性能的三五族场效晶体管。

背景技术

场效晶体管的栅极﹙gate﹚、漏极﹙drain﹚、源极﹙souce﹚是以介电层隔绝，且漏极、源极与衬底之间(body/substrate)形成PN接面，当PN接面两端的电压变化时，N区电子及P区空穴会因浓度的差异而相互扩散，造成电荷存储效应，致使寄生(body)二极管存在，产生相应的寄生(body)电容。请参照图1，图1表示寄生电容电路的示意图。如图1所示，栅极G-源极S间电容Cgs与栅极G-漏极D间电容Cgd取决于介电层的静电容量，而漏极D-源极S间电容Cds则为寄生二极管的接面电容。电容Cgs、电容Cgd、电容Cds称为寄生电容，寄生电容是影响三五族场效晶体管功率切换特性的重要参数。

寄生电容的计算方式可参考式1表示的电容计算式，C为电容，A为栅极覆盖在介电层上的面积，d为介电层的厚度，ε为介电常数。

C＝(ε*A)/d，式1。

从式1可得知降低电容的方法有：降低栅极覆盖在介电层上的面积、增加介电层的厚度。然而随着器件微缩化，尺寸只会越来越微小化，欲从尺寸设计方面降低电容并不容易。若寄生电容过大，三五族场效晶体管难以达到高频率、高功率性能。

实用新型内容

为了改善现有技术所提及的缺失，本实用新型的目的是提供一种三五族场效晶体管，包括衬底、设置于衬底上的主动层、设置于主动层上的介电层、及设置于介电层上的T型栅极层。介电层的介电常数为3.5～5.5之间。介电层具有第一部位与第二部位，第一部位与第二部位之间形成接触窗，接触窗用于暴露部份的主动层。T型栅极层通过所述接触窗与部份的主动层接触。

基于上述，本实用新型的三五族场效晶体管利用低介电常数的介电层，更容易降低电容Cgs、电容Cgd、电容Cds，以实现高频率、高功率性能。

附图说明

图1是根据本实用新型所述的技术，表示寄生电容电路的示意图；

图2是根据本实用新型所述的技术，表示三五族场效晶体管的一实施例的截面示意图；

图3是根据本实用新型所述的技术，表示三五族场效晶体管的结构示意图；

图4是根据本实用新型所述的技术，表示高电子迁移率发光晶体管的一实施例的截面示意图；以及

图5A、图5B是根据本实用新型所述的技术，表示寄生电容的一实施例的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术特征及优点，能更为相关技术领域人员所了解，并得以实施本实用新型，在此配合所附的图式、具体阐明本实用新型的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本实用新型特征有关的示意，并不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的技术内容，亦不再加以陈述。