[实用新型]一种承载半导体衬底的基座及衬底移动装置有效
| 申请号： | 201821942757.2 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN209150073U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 高印博 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 齐胜杰 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种承载半导体衬底的基座及衬底移动装置，其中，衬底移动装置包括基座和伯努利气动装置，基座上设置有至少一个用于承载衬底的片槽，在每个片槽的边缘设有一导气孔，导气孔的出气孔位于衬底的下方。导气孔的进气孔用于接收外部的气动装置通入的用于托举衬底的气体。本实用新型中的衬底移动装置通过导气孔与伯努利气动装置相互配合，实现了从顶起衬底以及将衬底吸附到伯努利气动装置上的整个取片过程，并避免了现有技术中在手动取放片时容易对衬底表面及边缘造成损伤、影响衬底表面质量的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 气动装置 移动装置 导气孔 本实用新型 衬底表面 承载 片槽 半导体 出气孔 进气孔 取放 取片 托举 吸附 损伤 外部 配合 | ||
【主权项】：
1.一种承载半导体衬底的基座，其特征在于，基座(1)上设置有至少一个用于承载衬底的片槽(2)；在每个所述片槽(2)的边缘设有一导气孔(3)，所述导气孔(3)的出气孔位于所述片槽(2)承载的衬底的下方；所述导气孔(3)的进气孔用于接收外部的气动装置通入的用于托举所述衬底的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
