[实用新型]旋转湿法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201821854576.4 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN208903981U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 杨抗 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种旋转湿法刻蚀设备，所述旋转湿法刻蚀设备包括：刻蚀槽，用于容纳刻蚀液及装有待刻蚀晶圆的晶舟；旋转装置，用于带动待刻蚀晶圆在晶舟内转动；旋转装置包括传动辊，传动辊绕其中心轴转动，传动辊垂直于待刻蚀晶圆表面，传动辊的辊面接触待刻蚀晶圆侧面并带动待刻蚀晶圆随传动辊转动。本实用新型通过引入传动辊在湿法刻蚀过程中带动晶舟中的晶圆转动，避免了因刻蚀槽中各处刻蚀液的浓度或温度不同而导致的晶圆面内刻蚀均匀性不佳的问题，从而提高了产品良率。此外，通过传动辊和晶圆的转动还进一步增加了刻蚀槽中刻蚀液的对流速度，改善了刻蚀槽中刻蚀液的分布均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 传动辊 晶圆 刻蚀 刻蚀槽 刻蚀液 湿法刻蚀设备 转动 晶舟 本实用新型 旋转装置 分布均匀性 刻蚀均匀性 中心轴转动 产品良率 辊面接触 晶圆表面 湿法刻蚀 圆面 对流 垂直 容纳 侧面 引入 | ||
【主权项】：
1.一种旋转湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：用于容纳刻蚀液及装有待刻蚀晶圆的晶舟的刻蚀槽；用于带动所述待刻蚀晶圆在所述晶舟内转动的旋转装置；所述旋转装置包括传动辊，所述传动辊绕其中心轴转动，所述传动辊垂直于所述待刻蚀晶圆表面，所述传动辊的辊面接触所述待刻蚀晶圆侧面并带动所述待刻蚀晶圆随所述传动辊转动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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