[实用新型]旋转湿法刻蚀设备有效
申请号: | 201821854576.4 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN208903981U | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 杨抗 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传动辊 晶圆 刻蚀 刻蚀槽 刻蚀液 湿法刻蚀设备 转动 晶舟 本实用新型 旋转装置 分布均匀性 刻蚀均匀性 中心轴转动 产品良率 辊面接触 晶圆表面 湿法刻蚀 圆面 对流 垂直 容纳 侧面 引入 | ||
本实用新型提供了一种旋转湿法刻蚀设备,所述旋转湿法刻蚀设备包括:刻蚀槽,用于容纳刻蚀液及装有待刻蚀晶圆的晶舟;旋转装置,用于带动待刻蚀晶圆在晶舟内转动;旋转装置包括传动辊,传动辊绕其中心轴转动,传动辊垂直于待刻蚀晶圆表面,传动辊的辊面接触待刻蚀晶圆侧面并带动待刻蚀晶圆随传动辊转动。本实用新型通过引入传动辊在湿法刻蚀过程中带动晶舟中的晶圆转动,避免了因刻蚀槽中各处刻蚀液的浓度或温度不同而导致的晶圆面内刻蚀均匀性不佳的问题,从而提高了产品良率。此外,通过传动辊和晶圆的转动还进一步增加了刻蚀槽中刻蚀液的对流速度,改善了刻蚀槽中刻蚀液的分布均匀性。
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种旋转湿法刻蚀设备。
背景技术
目前,在半导体集成电路制造的槽式湿法刻蚀过程中,一般会将装有多枚晶圆的晶舟浸没在刻蚀槽中,通过刻蚀槽中的刻蚀液对晶圆进行刻蚀。然而,刻蚀槽中的刻蚀液常常存在分布不均的现象,例如,在刻蚀槽上下层不同区域的刻蚀液浓度或温度会存在差异。上述差异会导致垂直放置于刻蚀槽的晶圆在刻蚀槽上下层所对应的不同位置之间的刻蚀速率和刻蚀选择比不同,这会使晶圆面内的刻蚀均匀性出现异常,进而影响产品良率。
因此,有必要提出一种新的旋转湿法刻蚀设备,解决上述问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种旋转湿法刻蚀设备,用于解决现有技术中湿法刻蚀的晶圆面内均匀性不佳的问题。
为实现上述目的及其它相关目的,本实用新型提供了一种旋转湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:
用于容纳刻蚀液及装有待刻蚀晶圆的晶舟的刻蚀槽;
用于带动所述待刻蚀晶圆在所述晶舟内转动的旋转装置;
所述旋转装置包括传动辊,所述传动辊绕其中心轴转动,所述传动辊垂直于所述待刻蚀晶圆表面,所述传动辊的辊面接触所述待刻蚀晶圆侧面并带动所述待刻蚀晶圆随所述传动辊转动。
作为本实用新型的一种可选方案,所述旋转装置还包括:驱动模块和连接所述驱动模块和所述传动辊的传动模块,所述驱动模块通过所述传动模块带动所述传动辊旋转。
作为本实用新型的一种可选方案,所述驱动模块包括伺服电机。
作为本实用新型的一种可选方案,所述传动模块包括联轴器,所述联轴器连接所述驱动模块和所述传动辊,所述驱动模块通过所述联轴器带动所述传动辊旋转。
作为本实用新型的一种可选方案,所述传动辊的两端可动安装于所述刻蚀槽两侧相对的侧壁上,所述传动辊的至少一端穿过所述刻蚀槽的侧壁并连接所述传动模块。
作为本实用新型的一种可选方案,在所述刻蚀槽侧壁上的所述传动辊的安装位置处设有密封轴承,所述密封轴承可动连接所述传动辊并支撑所述传动辊转动。
作为本实用新型的一种可选方案,所述密封轴承和所述传动辊的表面包覆有耐腐蚀材料层。
作为本实用新型的一种可选方案,所述传动辊的辊面包含粗糙面。
作为本实用新型的一种可选方案,所述旋转湿法刻蚀设备还包括装卸载装置,所述装卸载装置设置于所述刻蚀槽的上方,所述装卸载装置包括用于抓取所述晶舟并使所述晶舟在所述刻蚀槽中装载或卸载的机械手臂。
作为本实用新型的一种可选方案,所述旋转湿法刻蚀设备还包括控制模块,所述控制模块包括:
用于控制所述旋转装置的开关和旋转速度的旋转控制单元,连接所述旋转装置;
用于控制所述装卸载装置对所述晶舟进行装载和卸载的装卸载控制单元,连接所述装卸载装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造