[实用新型]一种埋入式栅极结构有效
| 申请号： | 201821849556.8 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN209045563U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 冯大伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种埋入式栅极结构，包括半导体衬底，半导体沉底上形成有栅极沟槽，半导体衬底上设有的介电层，其中，在每个栅极沟槽中，第一导电金属层沿栅极沟槽的两侧壁分布，第一导电金属层呈夹持状，将第二导电金属层夹持在两侧第一导电金属层之间，本实用新型的埋入式栅极结构能够降低栅极引发的漏极漏电流，增加半导体器件的稳定性，提升半导体器件的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电金属层 埋入式栅极 栅极沟槽 半导体 半导体器件 本实用新型 衬底 夹持状 介电层 两侧壁 漏电流 夹持 漏极 | ||
【主权项】：
1.一种埋入式栅极结构，其特征在于，包括：半导体衬底，包括栅极沟槽，所述栅极沟槽具有覆盖侧壁和底部的栅氧化层；第一导电金属层，部分覆盖于所述栅氧化层的侧壁；第二导电金属层，填充于所述第一导电金属层之间的所述栅极沟槽内，且填充的第二导电金属层的高度不超过所述第一导电金属层的高度；介电层，填充于所述第一导电金属层和第二导电金属层之外的所述栅极沟槽内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821849556.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
