[实用新型]一种埋入式栅极结构有效
| 申请号： | 201821849556.8 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN209045563U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 冯大伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电金属层 埋入式栅极 栅极沟槽 半导体 半导体器件 本实用新型 衬底 夹持状 介电层 两侧壁 漏电流 夹持 漏极 | ||
【权利要求书】：
1.一种埋入式栅极结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，包括栅极沟槽，所述栅极沟槽具有覆盖侧壁和底部的栅氧化层；
第一导电金属层，部分覆盖于所述栅氧化层的侧壁；
第二导电金属层，填充于所述第一导电金属层之间的所述栅极沟槽内，且填充的第二导电金属层的高度不超过所述第一导电金属层的高度；
介电层，填充于所述第一导电金属层和第二导电金属层之外的所述栅极沟槽内。
2.根据权利要求1所述的埋入式栅极结构，其特征在于：所述第一导电金属层厚度为4-20nm。
3.根据权利要求1所述的埋入式栅极结构，其特征在于：所述第二导电金属层与所述第一导电金属层形成具有连续平面上表面的金属栅极。
4.根据权利要求3所述的埋入式栅极结构，其特征在于：所述金属栅极与所述栅极沟槽的顶端存在40-60nm的高度差。
5.根据权利要求1所述的埋入式栅极结构，其特征在于，所述埋入式栅极结构还包括：
金属阻挡层，所述金属阻挡层形成于所述栅氧化层与第一导电金属层之间，且所述金属阻挡层部分覆盖所述栅氧化层。
6.根据权利要求5所述的埋入式栅极结构，其特征在于：所述金属阻挡层与所述第一导电金属层存在高度差，所述第一导电金属层的高度大于所述金属阻挡层的高度。
7.根据权利要求6所述的埋入式栅极结构，其特征在于：所述第一导电金属层与所述阻挡层存在5-10nm的高度差。
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