[实用新型]光阻结构及晶圆曝光装置有效
| 申请号： | 201821801929.4 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN208848031U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 沈雪;古哲安;黄志凯;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光阻结构及晶圆曝光装置。本所述光阻结构包括：光敏层，包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线；量子点，掺杂于所述光敏层中，适于在所述第一光线激发下产生能够被所述光敏层吸收的第二光线。本实用新型削弱了驻波效应对曝光过程的影响，确保了晶圆产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻结构 光敏层 晶圆 本实用新型 第二表面 第一表面 曝光装置 半导体制造技术 晶圆产品 曝光过程 驻波效应 量子点 射入 吸收 掺杂 削弱 激发 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种光阻结构，其特征在于，包括：光敏层，包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线；量子点，掺杂于所述光敏层中，适于在所述第一光线激发下产生能够被所述光敏层吸收的第二光线。
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