[实用新型]光阻结构及晶圆曝光装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光阻结构及晶圆曝光装置。本所述光阻结构包括：光敏层，包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线；量子点，掺杂于所述光敏层中，适于在所述第一光线激发下产生能够被所述光敏层吸收的第二光线。本实用新型削弱了驻波效应对曝光过程的影响，确保了晶圆产品的质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光阻结构及晶圆曝光装置。

背景技术

目前，半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小和更复杂之外，在其上制造IC的晶圆变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。

在晶圆的制造过程中，需要经过多步工艺，例如表面清洗、初次氧化、化学气相沉积镀膜、化学机械研磨、光刻、退火、离子注入等。其中，光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。光刻工艺是在晶圆曝光装置上完成的。

在具体的光刻过程中，掩膜版通过一夹具固定于曝光机台上；光线穿过所述掩膜版上的对准标记投影到覆盖有光刻胶层的晶圆上，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上。

但是，在现有的曝光工艺进行过程中，由于晶圆与光刻胶的反射率不同会引起驻波效应，从而使得光刻胶内部的感光剂或者光致酸的浓度也呈现驻波分布状态，导致经光刻胶显影后的晶圆侧壁轮廓呈现波纹状起伏，从而直接影响到线宽的变化。随着晶圆特征尺寸缩小到350nm以下，线宽的变化会影响到后续刻蚀及离子注入工艺的实施，导致晶圆表面形成的图形在形貌或者特征尺寸等方面的变化以及器件漏电等情况的发生。

因此，如何消除驻波效应对光刻工艺的影响，提高晶圆产品的质量，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种光阻结构及晶圆曝光装置，用于解决现有的光刻工艺因驻波效应导致的光刻质量较差的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种光阻结构，包括：

光敏层，包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线；

量子点，掺杂于所述光敏层中，适于在所述第一光线激发下产生能够被所述光敏层吸收的第二光线。

优选的，所述第一光线的波长与所述第二光线的波长不同。

优选的，所述第一光线为紫外光线或者X射线；所述第二光线为紫外光线。

优选的，所述量子点为CsI量子点。

优选的，所述第二光线的波长为300nm～380nm。

优选的，所述光敏层中掺杂的所述量子点的浓度为大于0.0025g/ml。

为了解决上述问题，本实用新型还提供了一种晶圆曝光装置，包括光阻结构；所述光阻结构包括：

光敏层，包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线；

量子点，掺杂于所述光敏层中，适于在所述第一光线激发下产生能够被所述光敏层吸收的第二光线。

优选的，还包括光源和掩模版；所述掩模版朝向所述第二表面设置，所述光源发出的光线经所述掩模版传输至所述光敏层。