[实用新型]光阻结构及晶圆曝光装置有效
| 申请号： | 201821801929.4 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN208848031U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 沈雪;古哲安;黄志凯;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光阻结构 光敏层 晶圆 本实用新型 第二表面 第一表面 曝光装置 半导体制造技术 晶圆产品 曝光过程 驻波效应 量子点 射入 吸收 掺杂 削弱 激发 覆盖 | ||
1.一种光阻结构，其特征在于，包括：
光敏层，包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线；
量子点，掺杂于所述光敏层中，适于在所述第一光线激发下产生能够被所述光敏层吸收的第二光线。
2.根据权利要求1所述的光阻结构，其特征在于，所述第一光线的波长与所述第二光线的波长不同。
3.根据权利要求2所述的光阻结构，其特征在于，所述第一光线为紫外光线或者X射线；所述第二光线为紫外光线。
4.根据权利要求2所述的光阻结构，其特征在于，所述量子点为CsI量子点。
5.根据权利要求4所述的光阻结构，其特征在于，所述第二光线的波长为300nm～380nm。
6.根据权利要求4所述的光阻结构，其特征在于，所述光敏层中掺杂的所述量子点的浓度为大于0.0025g/ml。
7.一种晶圆曝光装置，其特征在于，包括光阻结构；所述光阻结构包括：
光敏层，包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线；
量子点，掺杂于所述光敏层中，适于在所述第一光线激发下产生能够被所述光敏层吸收的第二光线。
8.根据权利要求7所述的晶圆曝光装置，其特征在于，还包括光源和掩模版；所述掩模版朝向所述第二表面设置，所述光源发出的光线经所述掩模版传输至所述光敏层。
9.根据权利要求7所述的晶圆曝光装置，其特征在于，所述第一光线的波长与所述第二光线的波长不同。
10.根据权利要求9所述的晶圆曝光装置，其特征在于，所述量子点为CsI量子点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821801929.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于AR技术的球幕投映系统
- 下一篇：光刻胶排放系统
